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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有主动区的半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120072797A，申请日期为2024年03月。
专利摘要显示，一种半导体结构包括基底、多个第一介电结构、多个第二介电结构、电容器接触件、着陆垫、金属插塞及介电区段。基底包括第一主动区和第二主动区。多个第一介电结构设置在基底中。第一主动区设置在多个第一介电结构之间。多个第二介电结构设置在基底中。第二主动区设置在多个第二介电结构之间。电容器接触件设置在第一主动区上方并与第一主动区接触。着陆垫设置在电容器接触件上方。金属插塞设置在着陆垫上方。介电区段设置在基底内并沿第一方向延伸。第一主动区与第二主动区通过介电区段而沿第二方向分隔开第一主动区和多个第一介电结构沿第一方向排列。第二主动区与多个第二介电结构沿第一方向排列。第一主动区与该第二主动区沿着第二方向错位。
本文源自：金融界
作者：情报员
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