北京
金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120018501A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；悬浮栅层，位于基底的顶部；盖帽层，位于悬浮栅层的顶部；栅绝缘层，位于盖帽层的顶部，盖帽层的介电常数大于栅绝缘层的介电常数；控制栅层，位于基底上且覆盖悬浮栅层的顶部和侧壁，控制栅层还覆盖栅绝缘层。通过在悬浮栅层的顶部形成盖帽层，盖帽层的介电常数大于栅绝缘层的介电常数，相较于在悬浮栅层的顶部形成栅绝缘层的方案，本实施例盖帽层的介电常数大于栅绝缘层的介电常数，盖帽层通过静电感应效应让悬浮栅层拐角处的电荷再分布，使拐角处的电荷被分走一部分，降低了悬浮栅层的顶部拐角处出现电荷聚集的概率，从而使半导体结构的可靠性得到提高，进而提高了半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目51次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可226个。
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息149条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可443个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
