北京
金融界2025年4月30日消息，国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种低取向偏离碳化硅晶圆及无损检测晶圆的晶面偏角和取向偏离的方法”的专利，公开号CN119880969A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种低取向偏离碳化硅晶圆及无损检测晶圆的晶面偏角和取向偏离的方法，属于碳化硅晶圆检测技术领域。该方法将晶圆固定，利用X射线衍射仪，对晶圆进行测试，包括步骤：(1)调整入射角扫描范围为(17.8°‑预设偏角)±0.5°，得到晶圆的晶面偏角A，若晶面偏角A与预设偏角的差值在±0.1°以内，则继续下一步测试，否则判为不合格，不再进行测试；(2)调整入射角扫描范围为(17.8°‑A)±0.1°，晶圆Notch位置定义为0°，将晶圆在平面内旋转360°，得到晶圆的平面内偏角P；(3)测试得到衍射角C，按照公式计算晶圆的取向偏离角Ω。该方法采用X射线衍射仪对晶圆进行无损检测，提高测试速度的同时提高测试准确度，便于工业化应用检测。
天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本90000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可51个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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