北京
金融界 2025 年 4 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，成都芯盛集成电路有限公司申请一项名为“7342.一种提高 SSD 盘内 DRAM 利用效率的方法、系统及存储介质”的专利，公开号 CN119847443A，申请日期为 2024 年 12 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提高 SSD 盘内 DRAM 利用效率的方法、系统及存储介质，属于固态硬盘技术领域。方法包括：SSD 将盘内 DRAM 以虚拟内存的方式暴露给主机，同时也以虚拟内存的方式使用 DRAM 来存放 FTL；SSD 处理虚拟内存的缺页中断，并统计缺页中断次数，检测盘内 DRAM 使用是否存在内存紧张；如果盘内 DRAM 内存紧张，则触发缺页中断并通知主机，让主机决策是否缩减内存；主机通过命令告知 SSD 需要使用多少内存，如果盘内 DRAM 依然不能满足，则 SSD 缩减 FTL 的内存使用数量，协商主机对盘内 DRAM 的使用数量。通过本发明，SSD 内部的闲置 DRAM 能够被最大限度地利用起来，避免资源浪费，有效解决系统存在的瓶颈，且在高效利用闲置 DRAM 时，系统性能未受到影响。
天眼查资料显示，成都芯盛集成电路有限公司，成立于2023年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都芯盛集成电路有限公司参与招投标项目4次，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可1个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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