士兰微：公司总营收首破100亿元 扣非净利润同比增加327.34%

4月18日晚间，功率半导体IDM龙头士兰微（600460.SH）发布2024年年度业绩报告，公司2024年营业总收入为112.21亿元，同比增长20.14%；实现归母净利润2.20亿元，与上年同期相比实现扭亏转盈；扣非净利润为2.52亿元，同比增加327.34%。

公司经过二十多年的发展，已经成为目前国内领先的IDM公司。2024年，公司营业收入首次突破100亿元，达到112亿元人民币，创造了中国大陆本土成长起来的半导体IDM公司的历史性时刻。公司电路和器件成品的销售收入中，已有76%的收入来自大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。

各类产品稳定向好 集成电路板块同比增长31%

公司依托IDM模式形成的设计与工艺相结合的综合实力，协同发展集成电路、功率器件、功率模块、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体芯片。面对市场竞争的加剧，公司通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场的拓展力度，加快产品结构调整的步伐。

公司集成电路在2024年营业收入为41.05亿元，较上年同期增长约31%，这主要是由于公司IPM模块、AC-DC电路、32位MCU电路、快充电路等产品的出货量明显加快，其中32位MCU电路、IPM模块较上年同期分别增长36%和47%。

具体来看，32位MCU电路产品实现36%的营收增长，主要得益于公司基于M0内核的更大容量Flash更多管脚的通用高性能控制器产品，其满足了多领域高性能的控制需求。IPM模块实现47%的营收增长，主要源于产品在下游应用领域的持续渗透。2024年，国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过1.7亿只士兰IPM模块，比上年同期增加约57%。此外，在电源管理芯片领域，公司也取得了显著突破，成功开发并推出了一系列面向汽车、大型白电、服务器及高端消费电子市场的新产品。目前，这些新产品都已经在客户端测试或已进入量产阶段。

在功率半导体和分立器件产品方向，公司在2024年应用于汽车、光伏的IGBT和SiC（模块、器件）的营收达到22.61亿元，同比增长60%以上。公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片已完成技术升级，以此款芯片为基础的电动汽车主电机驱动模块，已在国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件（单管）也已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货；同时，基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家出货量累计达5万只。

以国际先进IDM大厂为标杆 芯片设计研发成果显著

公司始终秉持着“以国际上先进的IDM大厂为学习标杆，成为具有自主品牌，具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商”的战略目标，依托设计与制造一体的模式，在半导体功率器件、各类模拟芯片、MEMS传感器、光电产品和化合物芯片等多个技术领域，持续投入生产资源与研发资源。

公司芯片设计研发成果显著，利用在多个芯片设计领域的积累，提供针对性的芯片产品和系统应用解决方案，不断提升产品质量和口碑，提升产品附加值。在细分产品线上，MEMS传感器领域，六轴惯性传感器（IMU）已接获多家国内智能手机厂商批量订单。除了继续巩固消费电子市场份额外，还积极拓展工艺平台，研发更高精度的惯性传感器产品，向汽车、工业等市场进军。

功率器件领域，公司已完成多个电压平台的RC-IGBT（逆导型IGBT）产品的研发，并在汽车主驱、储能、风电、IPM模块等领域中推广使用。

SiC技术研发取得突破，公司已成功完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET技术开发，其性能指标已接近沟槽栅SiC器件水平。目前，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送往客户处进行评测，预计基于该代芯片的功率模块将于2025年实现批量生产。

深挖细分市场空间 加速推进制造工艺与产能布局

公司制造工艺与产能布局加速推进，依托于已稳定运行的5、6、8、12英寸硅芯片生产线和正在加快建设的4、6、8英寸先进化合物芯片生产线，建立了新产品和新工艺技术研发团队，形成完整的特色工艺制造平台。

产能扩充方面，公司已在士兰集昕8英寸线上加大MEMS传感器芯片制造能力的投入，预计2025年惯性传感器产品营收翻倍。与此同时，公司12英寸线模拟电路、IGBT等功率器件芯片及IPM功率模块封装测试生产线同步扩产。2025年IPM产品出货量预计增长30%—50%，并将持续优化器件性能，推进高压1200V的IPM模块、SiC器件和GaN器件的应用。未来拓展汽车用市场是士兰IPM模块今后发展的主要方向。

SiC芯片产能持续提升，士兰明镓已形成月产9000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。为满足新一代SiC芯片上量的要求，公司已对6英寸线进行技术改造和效率提升。预计2025年SiC芯片出货量将显著增加。此外，在报告期内，公司已经实现了8英寸SiC mini line的通线，并且II代芯片已在该线上试流片成功，预计将在2025年四季度实现全面通线并试生产，以抢占2026年车用SiC市场机遇。

值得一提的是，公司在氮化镓和LED芯片领域也在持续发力。公司8英寸硅基GaN功率器件芯片研发量产线已实现通线，预计将于2025年二季度推出车规级和工业级的GaN功率器件产品。与此同时，2024年公司加快推进LED芯片生产线资源的整合、技术改造和产品升级，积极布局汽车照明领域，全力推动LED芯片新产品实现规模化量产，加速开拓车用照明市场。

在持续的产品创新、人工智能数据中心、下一代高性能计算（HPC）应用、汽车电气化和智能化、工业机器人等对半导体需求不断增长的带动下，全球半导体行业经历了2023年低谷后，在2024年恢复增长。全球贸易风险的加剧，将进一步刺激国内市场对国产芯片的需求有利于国产芯片加快进口替代，同时推动国内半导体装备、材料等行业的加快发展。

在此背景下，公司持续提升综合能力，发挥IDM模式优势，加大对集成电路、功率半导体、MEMS传感器产品、光电器件和第三代化合物半导体（SiC、GaN）等新产品的研发投入，加快推出契合市场的新产品。同时，聚焦当前汽车、新能源、算力和通讯等产业快速发展的契机，抓住国内高门槛行业和客户积极导入国产芯片的时间窗口，利用多条不同尺寸硅芯片产线和化合物产线的特点拓展工艺技术与产品平台，“持之以恒、做精做专”，深挖细分市场空间。