存储芯片，正式涨价

文 | 半导体产业纵横

今日，存储芯片正式开始涨价浪潮。

自此，存储市场长达多半年的低迷态势，终于迎来转折。

存储芯片的两大主力产品 NAND 与 DRAM，在新一季度的市场表现也各不相同。

NAND，开始涨价

打响涨价第一枪的是NAND存储大厂闪迪，其表示将于4月1日开始实施涨价，涨幅将超10%，该举措适用于所有面向渠道和消费类产品。

紧接着美光也告知将针对新订单提高价格，平均涨幅约11%。3月25日，美光直接发布涨价函，预计此次涨价幅度将在10%~15%。

之后，SK海力士、三星相继宣布将于4月同步上调NAND闪存价格。

根据渠道反馈，国产存储公司的零售品牌致态宣布，将于4月起上调提货价格，涨幅可能超过10%。

一系列消息接踵而至，在业内引起轩然大波。

新一季度，NAND 芯片价格出现反弹，这主要归功于各大 NAND 龙头果断且迅速地调整减产措施。

随着2024年NAND产品价格走势疲软，为提早应对市场供过于求问题，美光、三星、SK海力士、铠侠等原厂陆续从2024年第4季重启减产措施，借此阻止NAND价格的下跌趋势。

今年1月，美光新加坡NAND厂突发断电，导致NAND供货吃紧。群联科技执行长潘健成亦透露，虽从2024年12月已向美光下单采购，但近期却意外发生交货不足的问题。三星电子和SK海力士两大韩厂的减产措施也在持续发酵，其中三星在3月的交货量仅有原先订单的20-25%。

其实，早在上个月，现货市场的动向就透出了一些不寻常的信号。

CFM的报价显示，小容量的eMMC以及一些SSD产品的价格已悄然上升，个别渠道也开始了涨价的试探性动作。

TrendForce近日发布报告称，预计2025年第二季NAND Flash价格将止跌回稳，环比增加0-5%。其中Client SSD合约价将季增3%-8%；Enterprise SSD合约价将持平第一季；eMMC合约价将与上季持平。NAND Flash Wafer合约价将季增10%-15%。

叠加上述存储龙头的最新涨价动作，市场上已经有人嗅到这一商机，开始囤积SSD了，盼着在NAND价格飙升之际大赚一笔。

DRAM，跌幅收敛

再看DRAM市场在今年第二季度的价格走向。

先说结论，尽管DRAM市场还没有明确的涨价声音传出，但可以确定的是，第二季度DRAM市场价格跌幅将同步收敛。一般型DRAM价格跌幅将收敛至季减0%-5%，若纳入HBM计算，受惠于HBM3e 12hi逐渐放量，预计均价为季增3%-8%。

具体数据方面：

在PC DRAM领域，DDR4价格走势偏弱，环比下降3%-8%；DDR5价格环比基本持平。 在Server DRAM领域，DDR4跌幅低于市场预期，环比下降3%-8%；DDR5价格也环比基本持平。 在Mobile DRAM领域，LPDDR4X跌幅将收敛至季减0%-5%；LPDDR5X价格将季增0%-5%。 在Graphics DRAM领域，GDDR6跌势将收敛至3%-8%；GDDR7价格将持平上季或缓跌，约下降0%-5%。 在Consumer DRAM领域，DDR3合约价环比持平，DDR4合约价季增0%-5%。

综合来看，DRAM的价格还未来到正向增长区间。DRR5的合约价格大约是从今年2月起持续上涨，LPDDR5X的价格也相对稳健，但DDR4、DDR3、GDDR6等产品还在给存储市场“拖后腿”。

近日有研究机构对8家相关企业进行采访后发现，很多观点认为“对卖家来说，没有能够替代中国的市场，再加上受到低价的中国产品影响，价格正在下降”。关于接下来的DRAM价格，企业认为可能要到下半年才会上涨的观点居多。

HBM,市场暴涨880%

近日，SK海力士表示未来 AI 内存的需求前景光明。

预计今年HBM在SK海力士DRAM总销售额中的占比将超过50%。SK海力士CEO兼总裁

郭鲁正表示：“大型科技公司正在扩大投资，以确保在人工智能市场的领导地位。由于图形处理单元(GPU) 和定制芯片 (ASIC) 的增加，我们预计 HBM 的需求将出现爆炸式增长。”他补充道，“今年的 HBM 市场预计将比 2023 年增长 8.8 倍以上，另一种 AI 存储器企业固态硬盘 (SSD) 市场预计也将增长 3.5 倍”。此外，对于‘DeepSeek冲击’，他持乐观态度，并表示，如果各种 AI 生态系统被激活，将有助于在中长期内增加（对 HBM 的）需求”。

为了继续引领AI市场，SK海力士还将继续准备CXL等下一代技术和产品。郭鲁正表示：“除了HBM以外，我们还准备了CXL、LPCAMM2、SOCAMM等多种解决方案，从而不仅仅作为AI内存供应商，还能提供综合解决方案。”

国产存储厂商，蓄势待发

如果说，以前的存储市场主要被国际厂商所包揽，如今国产厂商的强势出击，硬生生把这一格局，撕开一道大口子。

在三星和SK海力士对华出口的存储产品组合中，三星主要向中国供应LPDDR、NAND Flash、图像传感器和显示驱动器IC等。SK海力士则专注于DRAM和NAND产品的生产和销售。

从去年开始，随着国产厂商竞争加剧，DDR3和DDR4内存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中国大陆的这一市场中逐渐淡出。

预计从今年夏季开始，由于这些主要厂商的退出，市场上DDR3和DDR4的供应将显著减少。而这些需求的承接方，正是大批国产存储芯片公司。

因此，在存储市场复苏之际，国产厂商有望迎来新的机遇。

从国内市场来看，国产NAND产品近期涨价基本已成事实。

近日，一家国内存储模组厂商负责人表示，今年所有存储芯片原厂的价格都在涨。几家存储芯片原厂的报价，在同一时期内都会比较接近，差异不会很大。其中，“小容量NAND是这一轮涨价里最先有反应的品类，也是最早反弹的品种”。

目前存储芯片制造商转向大容量NAND生产，小容量eMMC等产品制造转由模组厂商承担，受原厂晶圆定价影响。比如佰维存储、江波龙等模组厂商均基于原厂NAND推出eMMC产品。

因此，在小容量市场复苏之际，这两家公司将同步受益。

佰维存储在接受23家机构调研时表示，在嵌入式存储领域，公司BGASSD已通过Google准入供应商名单认证；在PC存储领域，公司SSD产品目前已经进入联想、宏碁、惠普、同方等国内外知名PC厂商，此前佰维存储就表示，其旗下SP406/416系列企业级PCIe4.0 SSD、SS621系列企业级SATA SSD，与联想服务器完成兼容性测试并获认证，强化企业级市场布局。

技术研发层面，3月初，佰维存储宣布，其自研的eMMC主控芯片SP1800已完成批量验证支持QLC颗粒并针对智能穿戴设备优化功耗，同时具备端到端数据保护能力，适用于车规级应用场景。

据悉，2024年，佰维存储智能穿戴存储业务收入同比大幅增长，2025年将深化与Meta等客户在AI眼镜领域的合作。

江波龙近日正式向香港联交所递交了发行境外上市外资股（H股），并在香港联交所主板挂牌上市的申请。目前，江波龙在产品布局上持续发力，其首颗32Gbit 2D MLC NAND完成流片验证，覆盖SLC/MLC多容量产品，适用于网络通信、安防监控等领域。该公司目前拥有嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条四大产品线，经营三个主要品牌，分别是FORESEE、Zilia、雷克沙。

其次，目前国内多家芯片厂商布局NAND存储芯片。包括兆易创新、东芯股份、江波龙等。不过，兆易创新、东芯股份NAND产品均为2D SLC NAND。而本轮NAND涨价主要以3D NAND产品为主，而2D NAND今年价格始终平稳，未见明显价格拐点。

DRAM方面，北京君正于投资者互动平台表示，公司正在积极推进DRAM产品的更新迭代，采用20nm工艺的新产品预计将在2025年推出样品，后续还将陆续推出更新工艺的DRAM产品。此外，北京君正还计划在20nm工艺产品之后，继续推进更先进工艺的DRAM产品研发。

存储龙头，期待回春

在刚刚过去的第一季度，存储巨头们过的可并不算如意。

• 美光：存储业务营收狂跌20%

近日，美光发布了截至2025年2月27日的2025财年第二财季财报，尽管在这一季度中美光实现营收80.5亿美元，同比增长38%。但单拎出来其存储业务部门（SBU）看，可以发现美光也面临着存储市场逆风的压力。

财报显示，美光SBU营收14亿美元，环比下降20%。

• 三星、SK海力士：对华出口暴跌

2024年，韩国芯片出口总额高达1330亿美元，其中近四成来自中国订单。

去年，三星和SK海力士这两家公司依托中国《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》相关举措，在华销售额实现大幅增长。

三星电子3月12日公布的业务报告显示，公司去年对华出口额同比增加53.9%，为64.9275万亿韩元，超过对美出口额61.3533万亿韩元。在公司对华出口额中，芯片销售占绝大部分。另据三星电子审计报告数据，公司在中国西安的NAND工厂（销售额11.1802万亿韩元，营业利润1.1954万亿韩元）和上海的半导体销售分公司（销售额30.0684万亿韩元）去年销售额也大幅提升。

SK海力士同样在中国市场取得了稳健增长。其无锡DRAM工厂去年不仅成功扭亏为盈，营业利润达到5985亿韩元，销售额也同比增长64.3%，净利润同比大增65.4%。SK海力士在中国的销售额为5.6万亿韩元，较前年有所增加。

暴涨之后，在2025年开年，形势急转直下。

最新数据显示，今年一月，韩国对华芯片出口暴跌22.5%，2月跌幅扩大至惊人的31.8%。行业预测，3月跌幅可能突破30%，芯片出口量或将创十年新低。

"以前是订单接到手软，现在仓库堆满芯片卖不出去。"韩国半导体行业人士近日感叹，这个曾凭借存储芯片傲视全球的产业，正经历着前所未有的寒冬。

三星、美光、SK海力士等厂商此前已经退出SLC NAND Flash市场。出于成本效率因素考虑，市场预计后续海外存储原厂可能逐渐退出MLC NAND Flash市场。随着国际巨头的逐渐淡出，国产存储公司的发挥空间便更大了。

随着三大存储龙头逐步转向附加值更高的HBM、DDR5等领域。上个月，SK海力士宣布推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 12 层（12Hi）HBM4 内存，并在全球率先向主要客户出样了 12Hi HBM4。

AI大模型训练催生海量算力需求，HBM在DRAM市场的占比已近30%，预计到2026年HBM4将推动定制化需求爆发。英伟达、AMD的新品发布周期，与三星、SK海力士的技术迭代形成共振，在此背景下，国际存储龙头便可在存储市场的复苏浪潮中享受更为丰厚的红利。