北京
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，合肥矽迈微电子科技有限公司申请一项名为“一种双面散热的MOS结构及其封装工艺”的专利，公开号CN 119673782 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种双面散热的MOS结构及其封装工艺，一种双面散热的MOS结构封装工艺，包括以下步骤：芯片包封：芯片背面朝上倒装在粘接膜上，将芯片完全包封，研磨包封面直至暴露出芯片背面；外引脚电镀：在暴露的芯片背面和研磨后的包封面上电镀多个焊盘，并继续在每个焊盘表面电镀外引脚，继续包封焊盘和外引脚，并研磨暴露出外引脚底面，芯片背面热量从焊盘传递至外引脚后散发；芯片正面电镀：剥离粘接膜，在芯片正面电镀金属柱A，包封并研磨包封面直至暴露出金属柱A的顶面；本发明通过在芯片的背面和正面通过层层包封、研磨以及电镀等工艺形成MOS器件构成双面散热的封装结构，散热效果好，散热效率高。
天眼查资料显示，合肥矽迈微电子科技有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50500万人民币，实缴资本50500万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥矽迈微电子科技有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息168条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
