北京
金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京昕感科技有限责任公司申请一项名为“一种SiC沟槽终端结构制作方法”的专利，公开号CN 119653807 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiC沟槽终端结构制作方法，属于半导体制造技术领域。包括如下步骤，在N‑外延层中形成多个P+区将N‑外延层分成一个终端区和多个元胞区，在终端区形成第一Pwell区，在元胞区中分别形成JFET注入区、第二Pwell区和N+区；通过光刻胶在所述终端区定义出渐变沟槽终端环以及在所述元胞区上定义出栅极沟槽图案；通过上述图案在终端区形成向元胞区方向深度逐渐增加的多个终端区沟槽，以及在元胞区中形成栅极沟槽；在终端区沟槽和栅极沟槽上形成侧墙并在底部形成P型保护区然后去除侧墙以及硬掩膜层，并进一步形成栅极、源极和漏极。本发明的方法不增加工艺所需的掩膜版，兼容单沟槽+深pplus方案，解决深pplus过渡区在反向耐压时电场集中的问题。
天眼查资料显示，北京昕感科技有限责任公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5398.9562万人民币，实缴资本2586.9837万人民币。通过天眼查大数据分析，北京昕感科技有限责任公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可2个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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