北京
金融界2025年1月28日消息，国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN 119361422 A，申请日期为2023年7月。
专利摘要显示，本发明提供一
种半导体器件的制造方
法，对层间介质层进行化
学机械研磨后，不仅暴露
出伪栅极的顶部，还能产
生长沟道元件区的第二伪
栅极的顶部比短沟道元件
区的第一伪栅极的顶部高
的负载效应，进而在对沉
积的金属栅极材料进行化
学机械研磨时，利用前面研磨产生的负载效应和此次研磨的反
向互补作用，不仅能使短沟道元件区的第一金属栅极保持原有
伪栅极的高度，还能使长沟道元件区的第二金属栅极的顶部不
高于短沟道元件区的第一金属栅极的顶部，最终达到减小或消
除短沟道元件区和长沟道元件区的金属栅极之间的负载效应
的效果，从整体上提升器件的电性及良率。
天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目165次，知识产权方面有商标信息15条，专利信息508条，此外企业还拥有行政许可55个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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