北京
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，湖南德智新材料股份有限公司申请一项名为“一种制备自支撑碳化硅膜的方法”的专利，公开号 CN 119297072 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种制备自支撑碳化硅膜的方法。本发明的方法包括：向生长腔室内第一次通入碳硅烷烃和还原性气体，并使玻璃碳衬底的温度维持在900℃‑1200℃，压力维持在8000‑20000Pa，生长60min‑120min，形成碳化硅剥离层；向生长腔室内第二次通入碳硅烷烃和还原性气体，并使玻璃碳衬底的温度维持在1100℃‑1300℃，压力维持在8000‑20000Pa，生长240min‑560min，在碳化硅剥离层的表面形成碳化硅支撑层。本发明通过对制备碳化硅膜的方法进行改进，能够使生成的碳化硅膜从玻璃碳衬底表面实现完整的自剥离和自支撑，从而提高了碳化硅膜的外观形貌及结构性能，继续沉积后再将碳化硅膜与碳化硅涂层产品紧密结合，能够形成良好完整性的碳化硅半导体产品。
天眼查资料显示，湖南德智新材料股份有限公司，成立于2017年，位于株洲市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2437.2476万人民币，实缴资本2437.2476万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南德智新材料股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目19次，知识产权方面有商标信息4条，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可13个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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