北京
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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，安世有限公司申请一项名为“图案化半导体器件”的专利，公开号 CN 119069360 A，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，公开了一种制造半导体器件的方法，以及用该方法制造的半导体器件。将金属材料层沉积到基板上，所述层具有顶表面。用第一光刻掩模掩蔽所述层的至少边缘区，并且根据所述第一掩模从所述边缘区去除金属材料，由此所述边缘区的第一部分具有介于所述基板和所述层顶表面之间的厚度。边缘区的第一部分用第二光刻掩模掩蔽，并且根据第二掩模从第一部分去除金属材料，由此边缘区的第二部分没有沉积的金属材料。
本文源自：金融界
作者：情报员
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