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金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“离子注入工艺的监控方法及监控装置”的专利，公开号 CN 118841340 A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种离子注入工艺的监控方法及监控装置，涉及半导体技术领域。其中，离子注入工艺的监控方法通过氢元素注入对晶圆本身所产生的影响，例如，氢元素注入对晶圆的第一方块电阻的影响，进而通过对第一方块电阻的监控反馈氢元素注入工艺能力的波动情况，并结合氢元素的注入剂量与第一方块电阻之间的映射关系，精确监测氢元素的注入剂量。基于此，本发明能够在低成本，高效率的基础上，提供一种监测方法以日常评估氢元素注入的剂量等参数。
本文源自：金融界
作者：情报员
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