浙江
开发出的“棱柱形硅基板”（右）。与直径 300 毫米的单晶硅晶圆（左）相比，可以更有效地放置半导体芯片
三菱材料21日宣布，已开发出用于下一代半导体封装的600毫米见方的“方形硅基板”。较大的正方形形状允许将半导体芯片有效地放置在采用小芯片技术的下一代半导体封装中，该技术将多个芯片集成到单个基板上。有助于提高半导体制造工艺的生产率。
所开发的“方形硅基板”，结合大型硅锭铸造技术和独特的加工技术，实现了高平整度和低表面粗糙度。预计它将用作中介层材料，中介层材料是连接载体基板和芯片与基板的构件。
使用小芯片技术的下一代半导体封装的尺寸将继续增长。为此，已经开发出使用大玻璃面板作为承载基板的面板级封装（PLP），但玻璃材料具有低刚性和低导热性，因此在形成再分布层时的加热过程中会发生翘曲。是一个问题。
当所开发的产品用作PLP承载基板时，可以利用其高刚性和高导热性的优势来改善翘曲。
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