研报 | 预计2025年存储器产业营收将创新高，价格上涨和HBM、QLC技术崛起为主要驱动因素

Jul . 22. 2024

产业洞察

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升。

HBM兴起推升DRAM营收

TrendForce集邦咨询估计，预估受惠于DRAM均价在2024年增加53%、2025年增加35%的条件下，进一步推升2024年DRAM营收达907亿美元、年增75%，2025年达1,365亿美元、年增51%。

TrendForce集邦咨询表示，4项驱动DRAM营收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。TrendForce集邦咨询估计，DDR5将分别贡献2024、2025年Server DRAM位元出货量40%、60-65%，LPDDR5/5X会贡献2024、2025年Mobile DRAM（行动式内存）位元出货量50%和60%。

QLC大容量Enterprise SSD、UFS助益2025年NAND Flash营收创纪录

TrendForce集邦咨询估计，2024年NAND Flash营收将达662亿美元、年增77%；2025年在大容量QLC（四层式存储单元） Enterprise SSD（企业级固态硬盘）崛起、智能手机采用QLC UFS（通用闪存存储）、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏等4项因素带动下，NAND Flash营收将达786亿美元、年增29%。北美CSPs（云端服务业者）已开始在Inference AI Server（推理用人工智能服务器）大量采用QLC Enterprise SSD，尤其是大容量规格。TrendForce集邦咨询预估，QLC将贡献2024年NAND Flash位元出货量20%，此比重2025年将再提升。在智能手机应用，QLC预计逐步渗透UFS市场，部分中国智能手机业者预计于2024年第四季起采用QLC UFS方案，Apple（苹果）则预计2026年开始导入至iPhone。

DRAM、NAND Flash营收攀高将影响产业生态

TrendForce集邦咨询表示，存储器产业营收创纪录下，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年DRAM、NAND Flash产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上修。此外，存储器生产规模提升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，但相反的，存储器价格上涨将增加电子产品成本，ODM/OEM（原始设计制造商/原始设备制造商）业者较难完全将成本反映在零售价上，利润将被压缩，终端销量也可能受到影响，导致需求下滑。

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