台积电A16制造技术并非使用High-NA EUV，与英特尔对垒

2024年2月英特尔发布了14A制造技术首秀，并称在首次采用High-NA EUV光刻机下制造出的该节点芯片将超越台积电。近日，台积电宣称全新名为A16的芯片制造技术将于2026年下半年生产，要与英特尔A14制造技术展开竞争。

台积电A16将结合超级电轨 (Super PowerRail) 与纳米片晶体管，2026年量产。超级电轨将供电网络移到芯片背面，芯片正面发布更多信号网络空间，提升逻辑密度和性能，适用复杂信号布线及密集供电网络的高性能计算 (HPC) 产品。相较台积电N2P制程，A16相同Vdd (工作电压) 下，速度增加8%-10%，相同速度功耗降低15%-20%，芯片密度提升高达1.10倍，支持数据中心产品。

市场人士指出，A16可能动摇英特尔2月称以Intel 14A夺回芯片宝座宣言。台积电业务发展资深副总裁张晓强表示，AI芯片公司需求，使A16研发速度比预期快，但未透露客户资讯。

值得注意的是，台积电A16芯片制造工艺的新特性中所提及的从芯片背面为计算机芯片供电技术，会更有助于加速人工智能芯片。但官方介绍详情内容比较少。而英特尔早在2023年6月公布独家BS PDN背面供电网络技术——PowerVia，并宣称将在英特尔A20、A18工艺节点上使用。

根据官方测试显示，英特尔平台电压下降改善达30% 以上，E核频率提升高达6%。从上述对于外界公布的信息来看，英特尔无疑是占据了优势，令业界更为信服。

但台积电高层也表示A16 芯片并不需要使用 ASML 的新型 "High NA EUV "光刻工具机来制造。但几天前英特尔透露，它们花费3.73亿美元的该设备已经到达英特尔工厂并开始组装，首发将用其来开发英特尔14A芯片。

台积电还展示2026年激活的超级电轨供电，从芯片背面供电，帮助AI芯片加速运行。英特尔也有类似技术，也视为核心竞争优势。但市场人士对英特尔宣言表示怀疑，TIRIAS Research分析师指，无论英特尔或台积电，距实际应用都还有数年时间，都要证明最终产品能达到现在宣称水准，才能获客户青睐。