16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相

三星已宣布开发出下一代 HBM4 内存，该内存将于 2025 年亮相，并具有一些强大的规格和功能。在这家韩国半导体制造商的一篇博客文章中，三星再次重申其 HBM4 内存目前正在开发中，并将于 2025 年亮相。

该公司目前的 HBM 产品组合包括作为顶级产品的 HBM3E"Shinebolt"，采用 24 Gb DRAM，容量达 36 GB，传输速度达 9.8 Gbps。该内存技术采用 2.5D 封装，支持 12 Hi 的堆叠。

三星 HBM 产品组合的下一个演变将以 HBM 4 的形式出现。这种特殊内存的代号目前尚不清楚，但它应该会有更大的发展。从规格开始，三星的 HBM4 内存预计将包含多达 16-Hi 堆栈，如果我们使用相同的 24 Gb 模块可以组合出高达 256 GB 的 HBM4 容量，速度非常快，而目前的峰值约为 10 Gbps。三星表示：

首先是"细分"。在早期市场，硬件的通用性非常重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务日趋成熟，硬件基础设施将不可避免地经历一个针对每种服务进行优化的过程。三星电子计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（如 8H、12H 和 16H）来应对。

目前，NVIDIA 的 Blackwell B100/B200和AMD 的 Instinct MI300 GPU可提供高达 192 GB 的 HBM 容量。前者采用较新的 HBM3E 标准，后者采用 HBM3 DRAM 解决方案。这两款 GPU 都有 8 个 HBM 位点，每个位点都有 12-Hi 堆栈，因此如果将这些位点升级到较新的 16-Hi 堆栈，就可以获得 256 GB 的容量。这还不算 HBM4 将推出的更密集的 DRAM 模块（24 Gb+）。

如果说从下一代 HBM4 开始，为解决功耗墙问题而进行的第一次创新是从推出使用逻辑工艺的基础芯片开始的，那么随着从目前的 2.5D HBM 逐步发展到 3D HBM，将出现第二次创新。随着 DRAM 单元和逻辑的发展，预计将出现第三次创新，如 HBM-PIM。目前，我们正在与客户和合作伙伴讨论如何实现这些创新，并将积极规划和准备开拓市场。

此外，HBM4 背后的另一项关键技术将是 3D 封装的利用。 最近，JEDEC 放宽了对 HBM4 内存的要求，允许公司利用现有的粘合技术。下一代 3D 封装还可能克服与混合粘合相关的一些价格问题。AMD 预计将通过 MI350 和 MI370 系列更新其 MI300产品线，这些产品线预计将增加容量，而NVIDIA则可能在 HBM4 供应稳定后更新其 Blackwell GPU，以便在未来推出速度更快的产品。