广东
英特尔宣布，已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。英特尔称，Intel 4工艺将应用于新一代产品，满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求，这次的按时量产证明了其正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划。
英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）表示：“我为英特尔团队以及客户、供应商和合作伙伴感到骄傲，我们一起将Intel 4制程节点的大规模量产变为现实，在重获制程领先性的道路上稳步前进。”
在英特尔的“四年五个制程节点”的半导体工艺路线图里，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产；Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底；Intel 20A和Intel 18A进展顺利，目标是2024年，将采用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。此外，英特尔不久后将推出面向英特尔代工服务（IFS）客户的Intel 18A制程设计套件（PDK）。
作为英特尔首个采用极紫外光刻技术生产的制程节点，Intel 4可使用超短波长的光，改善良品率和面积微缩，从而实现高能效，还能应用EMIB和Foveros封装技术，相比之前的工艺，无论在性能、能效还是晶体管密度方面均实现了显著提升。
根据英特尔之前的介绍，与Intel 7相比，Intel 4实现了两倍的面积微缩，带来了高性能逻辑库，并引入了多个创新，包括引入EUV光刻技术，大幅简化了互连架构的制程工艺，同时还支持微缩，使得Intel 4中的掩码减少了20%，工艺步骤减少了5%；针对高性能计算应用进行了优化，可支持低电压（＜0.65V）和高电压（高于1.1V）运行，相比Intel 7，Intel 4的ios功率性能提高了20%以上；另外高密度（金属-绝缘体-金属）电容器实现了卓越的供电性能。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
