全国有6个分中心！国家第三代半导体技术创新中心分中心落地太原

半导体产业网获悉：近日，国家第三代半导体技术创新中心（山西）推进会在太原第一实验室召开，山西省政府、太原市政府、长治市政府、以及中电科二所、中北大学、中科潞安等9家共建单位相关人员参加了会议。

据悉，科技部围绕国家重大区域发展战略部署，在全国布局国家第三代半导体技术创新中心深圳、南京、苏州、北京、山西、湖南6个分中心，充分发挥各区域创新和产业优势，各平台互有侧重、协同创新，局部保持适度竞争，形成“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动”的建设布局。

山西平台作为国创中心六大平台的重要一环，对建立健全国家半导体技术创新体系，推动山西省半导体产业发展具有重要作用。中电科二所是我国以智能制造、微电子装备及应用、碳化硅装备及应用、新能源装备及应用等产品研发生产的骨干单位。多年来，中电科二所立足自主装备，与产业融合，形成了独具特色的高端智能制造和工艺技术系统集成的能力。中电科二所是“国家第三代半导体技术创新中心（山西）”依托单位。中电科二所相关负责人汇报了国创中心（山西）实施方案及进展情况，对国创中心（山西）建设内容、目标、实体化进展及后续工作安排等作了详细报告。各共建单位分别从第三代半导体产业链各环节介绍了自己的优势和建设内容。

山西省副省长于英杰在听取汇报后，对国创中心（山西）实施方案表示肯定和支持，从国家战略、第三代半导体的重要性、国创中心（山西）的特色和实体化推进等方面强调了国创中心（山西）建设的重要性，并提出下一步推进目标，部署后续工作要求，明确了责任单位和时间节点。他表示，建设国家第三代半导体技术创新中心既是国家的重大战略需求，也是应对当前国际国内各种形势变化的需要。大家要解放思想、形成合力，通过体制机制创新、产学研结合等方式，共同推动国创中心（山西）的建设，完成好国家赋予的使命任务。

据了解，中北大学在第三代半导体技术研究方面有长期积累，开展了硅基GaN-HEMT、SiC基高温集成电路、SiC高温微纳器件、SiC电力电子器件与系统等方面的研究。在器件设计方面，所依托的中北大学微纳加工中心是国内高校范围内技术先进的半导体工艺研发平台。中北大学在半导体人才培养方面，具有深厚的团队基础，充足的研发经费，先进的平台条件和有效的培养模式，其通过半导体学院、半导体产业技术创新联盟和山西省实验室等平台的建设,与中电科二所等山西省内半导体龙头企业共同开展了半导体装备、半导体发光等领域重点研发计划和揭榜挂帅项目研究。

中北大学相关负责人表示，将立足自身优势资源，在本次国创中心建设中，配合牵头单位拓展第三代半导体产业链条，开展产业先导的技术研发，通过项目牵引、产教融合，培养出一批服务于山西省半导体产业的骨干人才，成为山西省未来第三代半导体事业发展的中坚力量。

同时，山西中科潞安紫外光电科技有限公司是从事第三代半导体紫外LED芯片研发与制造的高新技术企业，公司依托国家科技进步一等奖、何梁何利基金科技创新奖获得者、中科院半导体所李晋闽研究员领衔的技术和管理团队，旨在推动我国深紫外LED产业化进程，在氮化物深紫外领域具有深厚的积淀;现已建设省级工程研究中心、国防先进技术创新中心、工信领域新型研发机构、省级众创空间、省级产业创新联盟等优势平台。

作为国家第三代半导体技术创新中心（山西）共建单位，中科潞安牵头负责深紫外LED分中心建设，围绕“一个中心”、“五大任务”、“六大机制”，聚焦紫外LED前沿技术、共性关键技术、系统集成技术的协同创新，紧密对接企业和产业的需求，致力于核心芯片与器件、高端制备工艺、源头技术创新、实验室成果中试、应用技术开发升级，全方位、多元化推动技术创新服务和系统化解决方案，支撑和推动我国第三代半导体深紫外LED产业重点突破和整体提升。