国芯思辰｜国产新型铁电存储器，将代替国外铁电存储器

随着万物智联时代的到来，人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求。我国当前正在大力发展存储产业，除了在传统存储器上努力实现追赶，也在提前布局新型存储器，这将是未来存储产业生态的重要部分。

其中，铁电存储器具有高速、低功耗、高可靠性的优点，是成为下一代非挥发性存储器的有力竞争者之一。

智能物联新时代应运而生的主流存储器

铁电存储器的研究始于上个世纪50年代，铁电材料则在上个世纪20年代就有已经开始，90年代逐渐开始商用。如今，随着工艺水平的提升，如何继续突破其局限性遭遇技术瓶颈。新型3D铁电存储器（VFRAM）让这个事情找到了一个新的解决方案。

VFRAM不同于传统的铁电存储器，其采用的新型铁电材料解决了高污染的问题，能在任何芯片代工厂生产，突破了产能的限制。

此外，由于High-K材料的使用，VFRAM突破了传统的平面架构，实现全新的3D架构，其存储容量提升1000倍，极大降低了成本。也正因如此，VFRAM的应用领域被进一步开拓，向进口量巨大的NOR闪存和DRAM市场渗透。

总的来说，VFRAM能承受高温、辐射，具备纳秒级高速读写水平和高达万亿次读写耐久度，低功耗、低成本，它既继承了传统FRAM的优势，又几乎完美地解决了传统FRAM的不足。

世界第一款商用新型铁电存储器

一直以来，传统铁电材料高污染的缺陷制约了铁电存储器的发展，全球专用产线被美国和日本两个国家垄断。

如今，VFRAM的出现打破了美国和日本的垄断地位，这款领先于国际的世界第一款商用新型铁电存储器、中国第一款铁电存储器，拥有中国完全自主知识产权的产品，可实现完全国产化！

6月中下旬大规模量产销售

目前，VFRAM系列芯片有两款型号将在6月中下旬大规模量产销售，分别为P95M002SWSP5TF和P95S128KSWSP5TF，具体介绍如下所示：

P95M002SWSP5TF

1、产品描述

P95M002SWSP5TF是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为262,144 ×8位，通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。和 SRAM不同，P95M002SWSP5TF不需要电池就可以保持数据。

P95M002SWSP5TF中使用的存储单元可用于1E10次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM。P95M002SWSP5TF不会像FLASH或 EEPROM那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。

2、产品特点

注：P95M002SWSP5TF可直接对标富士通MB85RS2MT。

P95S128KSWSP5TF

1、产品描述

P95S128KSWSP5TF是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，配置为16,384 × 8 位，通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。和 SRAM不同，P95S128KSWSP5TF不需要电池就可以保持数据。

P95S128KSWSP5TF中使用的存储单元可用于1E7次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM。P95S128KSWSP5TF不会像FLASH或 EEPROM那样需要很长的数据写入时间， 而且它不需要等待时间。

2、产品特点

注：P95S128KSWSP5TF可直接对标富士通MB85RS128B。

产品应用场景

VFRAM可广泛应用于需要实时大量数据记录、频繁数据读写、低功耗工作，以及嵌入式SoC/SiP的产品中，如智能仪表、智能穿戴、小型医疗设备、汽车电子及工业控制等领域。

总结

目前，从市场份额上看，传统铁电存储器仍占据着绝大部分市场，但随着5G时代到来，带动物联网、人工智能、智慧城市等应用市场发展并向存储器提出多样化需求，加上传统铁电存储器市场价格变化等因素，相信新型铁电存储器将在市场上发挥越来越重要的作用，其中，VFRAM作为打破美国和日本垄断的一种产品，或将对国内半导体行业产生重大影响。

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