在本周举行的台积电2021年技术研讨会上，台积电CEO魏哲家分享其先进逻辑技术、特殊技术、3DFabric先进封装与芯片堆叠等方面的最新进展。
台积电CEO魏哲家在大会上说道："数字化转型为半导体行业开辟了一个充满机遇的新世界，我们的全球技术研讨会强调了我们增强和扩展技术组合的许多方法，以释放客户的创新。"
首先，台积电将其领先的工艺节点分为三个产品家族：7nm、5nm和即将推出的3nn工艺节点。随着许多客户迁移到更先进的工艺节点，7nm产能增速放缓，预计2021年产能仅增加14%，与曾经16nm工艺系列产能进展类似。与之对应的，目前代工厂主要专注于5nm和即将推出的3nm芯片产品。
在研讨会上，台积电官方介绍了5nm工艺新成员N5A。N5A工艺旨在应对当今对计算能力需求不断增加的汽车应用。由于有台积电汽车设计平台的支持，N5A计划于2022年第三季度上市。
同时，台积电透露了其4nm和3nm的最新进展。4nm加强版采用与N5几乎近相同设计法则，在性能、功耗和集体管密度上均进一步提升，通过逻辑的光学微缩、标准单元库的改进和设计规则的推动，N4的晶体管密度较N5提升6%。台积电还声称，N4自2020年技术研讨会上宣布以来进展顺利，预计2021年第三季度风险量产。
而3nm方面，依靠业经验证的FinFET晶体管架构，得以实现最佳性能、功耗和成本效益，与N5相比，台积电N3性能提升15%、功耗降低30%、逻辑密度增加70%，有望在2022年下半年开始量产，同时成为世界上最先进的芯片制造技术。
随着台积电3nm开始量产，可以预测各家手机厂商的旗舰手机SoC也将更新至3nm。不过射频芯片没有像手机SoC制程一样频繁升级，依然使用16nm左右制程，但这一局面可能会在未来有所改变。
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