回顾国产半导体产业来看， 中国在芯片设计领域做到了世界前面，但在芯片代工领域的确较为落后，目前最高芯片制程还是停留在中芯国际的14nm，而其光刻机技术还是源自海外的，中国自主光刻机目前还是停留在90nm阶段，和荷兰ASML的确存在很大的技术插一句！但全球化经济的当下，各大科技公司也是合作共赢，就连高通、苹果的芯片也是交付给台积电和三星代工的，因此大家也别一上来就质疑国产半导体公司进度慢！
三星作为世界科技巨头，不仅垄断了OLED产线，在闪存芯片领域也有很高的竞争力，国产手机几乎都是采用三星闪存技术！一份数据出炉，今年第三季度全球闪存厂商排名中，三星NAND凭借着33.3%的市场份额排于第一，而恺侠、西部数据、SK海力士、美光Flash则是排在后面，这几家巨头几乎就是垄断了闪存业务，其产品大量在PC电脑、手机等数码产品上使用！
从现实情况来看，全球闪存业务的确是被欧美企业垄断，中国在闪存芯片领域竞争力不如韩企！但开放包容的中国敞开大门吸引外企，也就有了更多和外企合作交流的机会，这几年来国产闪存芯片也是迎来高速发展，就拿紫光集团旗下的长江存储来说，目前就已经成为了全球第7的闪存巨头，拿到了行业近1.6%的市场份额，其提供的闪存芯片已经可以满足国产手机的需求，目前正在往更高产能和良品率目标发展！
从长江存储的发展速度来看，用时3年时间就做到了世界一流水平，进步速度让外企感到敬畏。早在2016年7月份，长江存储的首款32层3D NAND闪存面世，可以说是国产闪存芯片浓墨重彩的一笔，是也没有想到短短几年时间长江存储的闪存芯片技术实现飞跃，更是打入了华为mate40的供应链名单，其芯片已经被华为公司采用了，后续也将会有越来越多的国产手机采用长江存储芯片！
长江存储还开发出了Xtacking技术，相对比传统3D NAND架构的闪存芯片来说，其芯片密度更高、数据传输速度也会更快！长江存储更是推出了64层堆栈式闪存芯片，在今年4月份推出128层QLC 3D NAND闪存芯片。长江存储CEO杨士宁也是提出未来发展愿景，争取不做最后一名，下一代产品将做到行业前沿。为了加快研发进度，长江存储做出了一个极其疯狂的举措，直接跳过96层堆栈闪存的研发向128层的堆栈上迈进，迈入世界第一梯队。
长江存储的闪存芯片技术已经达到了世界一流水平，打破了日韩企业的垄断局面，正式突破了在3D NAND闪存技术，用时三年就完成了国际巨头6年走过的路，的确是进步神速！在过去很长时间里面，闪存供应中国依赖三星、西数、美光等公司，芯片断供危机出现后，中国芯片公司也是加快转型，和华为中兴等齐头并进，像紫光展锐、长江存储、中芯国际等都已经成为了国产手机可靠的后援团，搭载了长江存储的华为mate40读写效率也是超过对手！
华为Mate40系列手机实测数据出炉，其持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s，甚至比UFS 3.1闪存还要快，这就是国产自主闪存芯片的实力，有望打破日韩垄断局面，终有一天可以实现弯道超车，你们说呢？
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