北京
随着新能源汽车800V高压平台普及，以及AI数据中心供电架构向高压直流等方向演进，碳化硅功率半导体的应用范围正在从新能源汽车延伸至算力基础设施。围绕这一趋势，博世披露了其在碳化硅制造、器件技术和本土化布局方面的进展。
在制造端，博世已形成以德国罗伊特林根和美国罗斯维尔为核心的晶圆制造网络。其中，罗伊特林根工厂承担碳化硅相关技术和规模化制造，美国罗斯维尔工厂则推进200毫米晶圆商业化生产。按照博世披露的信息，两地工厂采用相近的工艺和测试体系，以提升不同区域客户的供货稳定性和原产地适配能力。与此同时，博世正从150毫米晶圆向200毫米晶圆制造升级，以提高单位晶圆产出效率和产能利用率。对于车规级半导体而言，产能规模之外，批次一致性、长期可靠性和持续交付能力同样是量产阶段的重要考量。
器件技术方面，博世推出第三代碳化硅MOSFET，继续采用双通道沟槽栅技术路线。新一代产品在沟槽底部引入深P型屏蔽区，用于降低关断状态下栅氧化层承受的电场应力；同时通过JFET区域优化，在降低比导通电阻的同时，将短路耐受能力提升约10%。此外，博世还将逆变器实际工况纳入芯片设计，以降低高速开关过程中寄生导通等风险。相关改进显示，碳化硅器件的竞争重点正逐步从单项参数转向效率、安全裕度和寿命之间的综合平衡。
除新能源汽车外，博世在将车规级碳化硅技术拓展至AI数据中心等场景。其产品覆盖TO-247-4L、D2PAK、QDPAK和HVCPAK等封装形式，并推出面向PCB嵌入式封装的S-Cell裸片铜金属化技术。随着数据中心供电向更高电压、更高功率密度方向发展，碳化硅器件在电源转换环节的应用空间正在扩大。
在中国市场，博世目前通过本土新能源核心部件研发制造基地和碳化硅功率模块产线，推进封装、测试与应用集成能力本地化，并由本土应用开发及FAE团队参与400V、800V平台项目。其供应方式也覆盖电驱动总成、碳化硅裸芯片及分立器件等不同层级，以适配整车企业和Tier 1的不同研发模式。
