分享至
CEO杨士宁博士透露，公司计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。
资料显示，今年4月份，长江存储在武汉的工厂开始设备安装，今年晚些时候投产32层3D闪存。杨士宁表示，32层产品非常成熟，已经开始少量接单。
不过，从成本和市场接纳度来看，64层的竞争力更强，长江存储也将投入更多的精力在这一代上。关键技术方面，长江将引入全新3D NAND架构Xtacking，即在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，从而将I/O速度提升到3Gbps。
要知道，目前世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。
长江存储希望在64层3D闪存量产后，公司的毛利率可以转正，届时月产能预计10万片。
本文来源：快科技
责任编辑：
李雅晨_NBJS6324
