湖北
2026年9月7日，集邦咨询（TrendForce）发布最新DRAM产业调研财报。数据显示，受主流DRAM合约价格大幅拉升的核心驱动，2026年第二季度全球DRAM产业总营收环比大幅增长59.5%，营收规模逼近1547.3亿美元，行业景气度持续攀升。
AI算力需求持续爆发成为存储行业核心增长引擎。随着大语言模型训练、AI推理商业化落地需求持续扩容，全球AI服务器市场需求稳步攀升，直接带动HBM3e、LPDDR5X以及高容量RDIMM等高端存储产品出货量大幅上涨。同时，轻量化代理式AI应用快速普及、数量激增，进一步全方位拉动全容量规格RDIMM产品的市场需求。
供应端来看，当前全球DRAM厂商库存整体维持历史低位水平，行业库存去化充分。头部厂商新增产能与出货资源优先倾斜服务器高端存储市场，这一分配格局导致2026年第二季度全球DRAM位元出货量仅实现温和增量，整体供应偏紧。
对于2026年第三季度市场走势，DRAM位元出货量的温和扩容节奏，将成为左右行业整体营收表现的核心关键因素。预计三季度传统DRAM合约价格涨幅将有所放缓，环比涨幅收窄至13%-18%。
这一趋势主要源于两大原因：市场需求结构出现微调，部分高端高容量RDIMM需求逐步向低容量产品切换；同时PC、智能手机等消费电子终端市场疲软，终端厂商对存储涨价的承接能力持续受限。而消费型DRAM将迎来强势涨价行情，核心原因是主流厂商已大幅缩减消费级DRAM产能与供应规模，供需缺口持续扩大。
在三星、SK海力士、美光三大全球存储巨头中，三星2Q26位元出货量环比增幅领跑行业。凭借率先实现HBM4大规模量产并顺利批量出货的先发优势，叠加产品平均销售单价（ASP）大幅提升，三星单季度营收创下609.8亿美元的佳绩，环比增长63.4%，以39.4%的市场份额稳居全球DRAM行业榜首。
SK海力士位列行业第二。其HBM产品在整体位元出货量中的占比为三大厂商最高，高端产品结构一定程度上限制了整体ASP的上涨空间，单价增幅相对有限。数据显示，SK海力士2Q26营收环比增长37.9%，达385.9亿美元，市场份额小幅回落至24.9%。
美光受限于整体产能规模，持续优化产品结构，优先聚焦高溢价的服务器级DRAM产品出货，最大化盈利空间。2Q26美光营收环比大涨65.5%，达到360.0亿美元，市场份额小幅提升至23.3%。
TrendForce预测，2026-2027年，三大头部厂商将主要依靠制程技术迭代升级提升DRAM位元供应量，整体产能扩张节奏审慎温和。短期晶圆投片量的增长，仅依靠工艺优化、洁净室设备添置、跨产品线产能调配等方式实现小幅扩容，行业整体不会出现产能过剩局面。
相较于三大巨头深耕先进制程，南亚科技、华邦电子、力积电（PSMC）等二线存储厂商，持续聚焦成熟制程DRAM产品赛道。头部厂商加速向先进制程迭代，主动退出部分成熟制程市场，市场空白形成的供需红利持续向二线厂商释放，推动一众中小厂商2Q26业绩全线走高。
受益于DDR4、DDR3传统存储合约价格大幅上涨，南亚科技2Q26营收环比增长68.3%，营收规模达26.12亿美元；华邦电子营收增幅更为亮眼，环比大涨75.8%，营收9.98亿美元。
力积电营收核心来自消费型DRAM产品，该品类2Q26业绩迎来爆发式增长，环比激增167.8%，营收达1.15亿美元。叠加代工业务后，公司整体总营收环比增长54%。展望后续发展，力积电获得美光制程技术授权后，将正式开启新一轮产能扩张周期，后续市场份额有望进一步提升。
总体来看，2026年第二季度DRAM行业在AI需求与供应偏紧的双重驱动下，实现了营收与利润的全面跃升。展望未来，随着先进制程迭代加速与新兴应用持续渗透，行业有望延续高景气度，但需警惕终端需求结构性分化带来的价格波动风险。
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