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国家知识产权局信息显示，厦门大学、无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种埋层超结功率器件终端结构”的专利，公开号CN122699356A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，一种埋层超结功率器件终端结构，属于功率半导体技术领域。该终端结构将场限环与埋层超结结构相结合，在载流子存储层内部内嵌三组可独立调参的第二导电类型超结，灵活实现全域接地与全浮空两种工作模式；接地模式下，三组超结通过加宽超结配合接地层实现整体接地；浮空模式下，取消接地层且三组超结相互独立浮空。依托埋层超结电荷补偿效应优化体内电场，配合场限环平滑表面电场，有效抑制终端电场聚集；相较于传统场限环结构，击穿电压提升幅度达76.64%，同时可提高载流子存储层掺杂浓度，降低导通电阻。结构紧凑、工艺兼容性强，可缩小终端芯片面积，适用于高压功率半导体器件量产应用。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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