北京
IT时代网9月1日消息，先进工艺对EUV光刻机的依赖越来越深，ASML的High NA EUV技术正从Low NA扩展到High NA，目前已累计量产出135万片晶圆。
在近期半导体大会上，ASML透露了High NA EUV的最新进展：全球已有4家客户部署10台High NA EUV光刻机，另有3台正在出货安装。这10台主要分布在韩国、美国、欧洲及中国台湾地区，买家基本是Intel、三星、SK海力士与台积电，欧洲那台属于IMEC，用于EUV技术研发试验。
已投产的10台机器累计生产135万片晶圆，其中EXE:5200B型号吞吐量达到每小时135片（135WPH），ASML宣称已达到量产标准，并为大规模量产做准备；不过这一数字距官方页面宣称的175WPH以上仍有差距。设备可用率当前为84%，今年底目标提升到90%，并朝93%努力。
路线图方面，EXE:5200B的下一代EXE:5400E将把EUV光源功率从600瓦提升到1000瓦，进一步拉高产能，ASML目标本年度末达到180WPH。作为对照，DUV光刻机目前产能可达每小时300至400片，EUV生态显然还有不短的路要走。
注：本文中包含AI辅助创作的内容。
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