北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122662196A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本文公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：字线结构，其延伸入半导体层中第一深度，并且另外地在第一方向上延伸；有源区，其在半导体层中沿相对于第一方向的斜线方向延伸，并且与字线结构重叠；位线焊盘区，其与有源区的一端重叠并接触字线结构的一侧，并且延伸入半导体层中比第一深度浅的第二深度；以及存储节点焊盘区，其与有源区的另一端重叠并接触字线结构的另一侧，所述存储节点焊盘区在斜线方向上与位线焊盘区间隔开，并且延伸入半导体层中比第一深度浅的第三深度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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