微导纳米取得分体式衬套相关专利，分体式衬套防传片通道积尘易剥落

来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，江苏微导纳米科技股份有限公司申请一项名为“用于传片通道的分体式衬套、包括该分体式衬套的传片通道总成以及半导体工艺设备”的专利，授权公告号CN224698231U，授权公告日为2026年8月28日。申请号为CN202521542135.0，申请公布日期为2026年8月28日，申请日期为2025年7月22日，发明人柴智、李新、闫颂洋、赵婷婷，专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司，专利代理师沈锦华，分类号H10P72/00、H10P72/30。

专利摘要显示，本申请涉及用于传片通道的分体式衬套、包括分体式衬套的传片通道总成以及半导体工艺设备。所述分体式衬套包括：第一部件，第一部件具有平板状的中间部和分别从中间部的两端延伸的第一侧部和第二侧部；第二部件，第二部件具有能够与第一部件的第一侧部和第二侧部卡合连接的第一端部和第二端部，从而第一部件和第二部件能够通过卡合连接固定在一起而形成一环状体，环状体能够密封地固定于传片通道内；其中，第二部件包括可拆卸地连接一起的至少两个组件。该分体式衬套可以有效解决传片通道的粉尘累积不易清洁及容易剥落等问题。

微导纳米是国内原子层沉积（ALD）设备领域领军企业，2015年12月25日成立，2022年12月23日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于江苏省无锡市。

公司以ALD技术为核心，聚焦先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研发与产业化，为光伏、集成电路、柔性电子等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案，申万行业分类隶属于电力设备-光伏设备-光伏加工设备，同时覆盖年度强势、先进封装、存储概念板块。

2026年上半年，微导纳米实现营业收入11.89亿元，在行业12家可比企业中排名第8，低于行业平均18.39亿元、行业中位数18.85亿元，同期行业营收前两位分别为晶盛机电34.52亿元、迈为股份29.09亿元；当期实现净利润1.02亿元，行业排名第7，略低于行业平均数1.15亿元与行业中位数1.43亿元，行业净利润前两位为捷佳伟创3.75亿元、拉普拉斯3.18亿元。从主营业务构成来看，半导体设备贡献营收6.29亿元，占比53.11%；光伏设备贡献3.82亿元，占比32.27%；配套产品及服务贡献1.45亿元，占比12.27%；其他业务营收2778.76万元，占比2.35%。

业务板块 营收规模 营收占比 半导体设备 6.29亿元 53.11% 光伏设备 3.82亿元 32.27% 配套产品及服务 1.45亿元 12.27% 其他 2778.76万元 2.35%

江苏微导纳米科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1工艺腔室、薄膜沉积设备和零部件接触状态监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000457.12026-07-06CN122522222A2026-08-07周瑞、王新征、周芸福2反应腔内累计膜厚的检测方法、检测系统和薄膜沉积设备发明专利公布CN202610966989.42026-06-30CN122650884A2026-08-28高力、张子涵、徐峰3一种等离子体沉积设备及其控制方法发明专利公布CN202610936778.62026-06-25CN122484721A2026-07-31陆亦诚4气体引导装置及半导体设备发明专利公布CN202610890054.22026-06-18CN122648907A2026-08-28郑子文、吴围、李荣生、陆亦诚、赵光辉5反应腔室、薄膜沉积设备及组装方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610766283.32026-05-29CN122514200A2026-08-04柴智、李新、史笑6衬套及沉积系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610652436.12026-05-12CN122358169A2026-07-10王宗林、周芸福、赵婷婷、陈刚、王国超7工艺腔室及沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610652469.62026-05-12CN122358158A2026-07-10程堂杰、吴晗8一种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明专利实质审查的生效、公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文9喷淋板、处理设备和喷淋板孔型调整方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491865.52026-04-14CN122382537A2026-07-14侯彬、荒见淳一、沈寒旸10一种升降针的检测方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610458284.12026-04-08CN122358148A2026-07-10柴智、李新11靶材结构和磁控溅射设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610443065.62026-04-03CN122214800A2026-06-16白展逢、籍伟杰、张鹤、汤亚东、黎微明12混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610442872.62026-04-03CN122235689A2026-06-19李新、柴智、赵婷婷、李振、张义明13溅射设备和溅射方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610443120.12026-04-03CN122303811A2026-06-30张鹤、邓晚、白展逢、籍伟杰、汤亚东、黎微明14混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610442880.02026-04-03CN122327187A2026-07-03柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明15靶材结构及其磁控溅射方法和磁控溅射设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610442296.52026-04-03CN122358132A2026-07-10白展逢、籍伟杰、张鹤、任壮16阻隔膜及其制备方法和光电器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610443085.32026-04-03CN122520960A2026-08-07符奎、申博文、黎微明、袁红霞、姚俊17混气机构、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610443134.32026-04-03CN122516870A2026-08-07柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明18混气装置、反应装置以及半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202610442930.52026-04-03CN122543011A2026-08-11柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明19功能层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利授权CN202610426169.62026-04-02CN121968868B2026-06-16隋玉洁、王娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔20用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层、钙钛矿太阳能电池及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610435571.02026-04-02CN122458595A2026-07-24闻佳、黎微明、隋玉洁、袁红霞、李翔21一种激光加工系统以及激光指向性偏移的补偿方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377175.72026-03-25CN122125355A2026-06-02朱涵22一种片材缺陷检测系统及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377183.12026-03-25CN122341174A2026-07-03韩明新、陈哲、隋浩然、李登辉23温度调节装置以及镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610321903.22026-03-16CN122235698A2026-06-19安超、荒见淳一24温度调节装置以及镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610321907.02026-03-16CN122235699A2026-06-19安超、荒见淳一25进气装置和反应设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312792.92026-03-12CN122105370A2026-05-29柴智、赵学26基片及其制备方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610300638.X2026-03-12CN122318743A2026-06-30赵光辉、马洪宝27顶针结构、加热盘及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312763.22026-03-12CN122318810A2026-06-30柴智28晶圆异常的检测方法及半导体设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610312664.42026-03-12CN122421154A2026-07-17林英浩29一种基片上下料机构、基片上下料方法、装置和介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610255303.02026-03-03CN122121607A2026-05-29严大、汤宋波30一种硅片取放机构及导片系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华31用于半导体薄膜处理设备的配气组件和半导体薄膜处理设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超32半导体薄膜处理设备和半导体薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、王国超33半导体薄膜处理设备和半导体薄膜处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214804.42026-02-13CN122128689A2026-06-02智顺华、衡德正、王国超、徐康、阮昊34用于半导体薄膜处理设备的配气组件、半导体薄膜处理设备及其处理方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610214736.12026-02-13CN122147285A2026-06-05衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超35一种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波36一种喷淋装置及沉积镀膜设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣37载具、镀膜设备及其控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡38喷淋机构及薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧39喷淋机构及其检测系统发明专利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏40半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、王娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾41防污染角阀、角阀改造方法及沉积设备发明专利授权CN202511983364.02025-12-25CN121737683B2026-08-18毛文瑞、荒见淳一、赵婷婷42一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、王国超43加热盘机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、王宗林44一种抽气组件和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、王天宇、安超、叶长松、张晶、刘松涛、王国超45一种半导体薄膜沉积设备的反应腔和半导体薄膜沉积设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、王天宇、安超46半导体加热盘的装配方法和半导体工艺腔室发明专利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福47反应装置、半导体薄膜沉积方法和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安超、王天宇、王炫罡48反应腔室及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、王国超、王晴49支撑机构、反应装置和半导体薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛50一种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明专利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10王新征、侯永刚