晶合集成申请半导体测试结构相关专利，该结构可简便直接测试后段金属耐压值

来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及测试方法”的专利。申请公布号为CN122652240A，申请号为CN202611150791.5，申请公布日期为2026年8月28日，申请日期为2026年7月31日，发明人马盟、鲍丙辉、李倩娣，专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司，专利代理师傅梦婷，分类号G01R31/12、G01R27/08、G01R19/00。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体测试结构及测试方法，属于半导体技术领域，所述半导体测试结构包括：待测试的第一互连线，沿第一方向周期性地弯曲延伸，并具有多个弯曲部；与第一互连线电性隔离且同层设置的第二互连线，第二互连线包括连接部及多个接收部，一个接收部伸入一个弯曲部内，连接部电性连接多个接收部；互连介质层，覆盖第一互连线及第二互连线；第一焊盘及第二焊盘，与第一互连线的两端连接；第三焊盘，与连接部连接。本申请可用于简便、直接测试后段金属的耐压值。

晶合集成是国内专注于晶圆代工领域的特色企业，专注12英寸晶圆代工赛道，车规级芯片代工技术优势突出。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地为安徽省合肥市，办公地跨安徽省合肥市与香港特别行政区。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务，致力于研发并应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，覆盖MCU概念、集成电路、汽车芯片三大概念板块。

2026年上半年，晶合集成实现营业收入59.57亿元，在所属7家同赛道可比企业中排名第4，当期营收规模低于行业平均数93.45亿元，与行业中位数持平，仅为行业第一中芯国际386.35亿元、行业第二华虹宏力95.74亿元的约15.42%、62.22%；同期实现净利润2.22亿元，同样在7家可比企业中位列第4，低于行业平均数14.11亿元，与行业中位数持平，仅为行业第一中芯国际64.39亿元、行业第二赛微电子26.75亿元的约3.45%、8.30%。从主营业务构成来看，当期公司集成电路业务营收达57.66亿元，占总营收比重96.80%，其他补充类业务营收1.91亿元，占比3.20%。

指标类别 具体指标 2026年上半年数值 对应行业对比情况 营收表现 总营业收入 59.57亿元 行业排名4/7，与行业中位数持平，低于行业均值93.45亿元 营收结构 集成电路业务营收 57.66亿元 占总营收比重96.80% 营收结构 其他补充业务营收 1.91亿元 占总营收比重3.20% 净利润表现 归母净利润 2.22亿元 行业排名4/7，与行业中位数持平，低于行业均值14.11亿元

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1晶体管制备方法、晶体管及电子设备发明专利公布CN202611164387.32026-08-03CN122662269A2026-08-28张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪2半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202611150791.52026-07-31CN122652240A2026-08-28马盟、鲍丙辉、李倩娣3一种Fin FET器件及其制造方法发明专利公布CN202611147204.72026-07-30CN122662243A2026-08-28李猛猛、唐鹏飞、魏巍4一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机发明专利公布CN202611141368.92026-07-30CN122652910A2026-08-28李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉5基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺7一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋8基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕9半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕10半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡11半导体器件结构及其制备方法发明专利公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙12埋入式栅极结构及制备方法发明专利公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强13离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚14对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏15光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙16半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌17半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定18半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛19一种含有间隔交叉空气间隙的半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001373.X2026-07-07CN122514244A2026-08-04崔立加、余义祥、王梦晴、李敏新20图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001464.32026-07-07CN122514061A2026-08-04康绍磊、汪凯伦21对准标记的异常检测方法及提高光刻工艺套准精度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611002015.02026-07-07CN122506782A2026-08-04陈大业、李海峰、黄玉22一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610999508.X2026-07-07CN122514030A2026-08-04武莹莹23面向设计-制造的多智能体协同方法、系统及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610992342.92026-07-06CN122509026A2026-08-04陈健、秦绪威、刘哲儒24晶圆测试路径的规划方法、装置、探针台、设备及介质发明专利公布CN202610986471.72026-07-03CN122497321A2026-07-31王朋、杨锃、李飞25一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华26测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健27一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙28半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋29一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛30一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕31半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正32半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕33一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒34一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强35测试结构、测试方法及测试系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610925895.22026-06-25CN122487862A2026-07-31王朋、杨锃、李飞36曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞37晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲38光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康39半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明40一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰41一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳42半导体器件及其制备方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃43一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛44一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成45一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙46半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕47半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰48文本识别方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞49一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利实质审查的生效、公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿50一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康