北京
国家知识产权局信息显示，行至存储科技（苏州）有限公司申请一项名为“一种改善半导体器件结构的可靠性方法及半导体器件结构”的专利，公开号CN122662641A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善半导体器件结构的可靠性方法及半导体器件结构，通过对虚拟半导体器件结构进行高温高湿加速老化测试获得失效位置的第一监测标记，随后提供半导体基底，并于半导体基底的切割道区形成第二监测标记，其中，第二监测标记通过调整失效位置的第一监测标记的图形得到，以减少第二监测标记的图形面积，从而降低第二监测标记在切割过程中的热量积累。进一步的，空白区内设置有密封环，密封环包括第一密封环和第二密封环，第二密封环靠近切割道区设置有双层防护墙结构，以增强对水汽渗透及切割损伤的阻挡能力，由此，能够减少切割过程中对芯片本体及密封环的热损伤，降低水汽进入芯片内部的风险，提高器件在高温高湿环境下的工作可靠性。
天眼查资料显示，行至存储科技（苏州）有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本851.134万人民币。通过天眼查大数据分析，行至存储科技（苏州）有限公司专利信息15条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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