北京
国家知识产权局信息显示，芯慧联（佛山）半导体科技有限公司申请一项名为“一种上电极等离子装置、上电极等离子装置的使用方法及制造方法”的专利，公开号CN122602358A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明提供一种上电极等离子装置、上电极等离子装置的使用方法及制造方法，涉及等离子体反应器技术领域，包括：复合等离子体发生单元、绝缘板、喷淋孔框架和上电极板；绝缘环与导电感应环沿轴向嵌套设置并形成复合嵌套单元，绝缘筒具有轴向相对的第一端部和第二端部，复合嵌套单元设置在绝缘筒的第一端部的内部，且绝缘筒的第一端部的内周壁包覆在复合嵌套单元的外周，线圈环绕设置在绝缘筒的第二端部的外周；导电感应环用于产生环形电场，线圈用于产生感应耦合电场，且在绝缘环与导电感应环之间形成电容耦合电场，并使气体通道内产生电容耦合等离子体和电感耦合等离子体。实现了低气压可靠点火及多模式灵活切换。
天眼查资料显示，芯慧联（佛山）半导体科技有限公司，成立于2025年，位于佛山市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯慧联（佛山）半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息1条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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