单季最高涨50%！HBM抢光晶圆产能，存储板块景气度再上台阶！

摩根士丹利最新研报再度上调存储行业景气预期，预计2026年第三季度DDR4等成熟制程DRAM价格将单季上涨50%，第四季度延续10%涨幅；SLCNAND闪存涨价节奏更为激进，今年剩余两个季度单季涨幅均可达50%。

本轮涨价并非传统周期的需求共振，而是AI算力浪潮下全球存储产能向高端品类倾斜引发的结构性供给收缩，成熟制程存储正经历一场由产能转移驱动的“供给侧改革”，存储产业链各环节将分层受益。

01 ｜ AI产能虹吸 · 成熟存储供需缺口扩大

本轮成熟存储涨价的核心驱动力来自供给端的结构性调整，而非下游需求的爆发式增长。全球头部存储厂商为追逐AI领域的高毛利，正持续将晶圆产能向HBM、高端DDR5及更高层数的NAND闪存转移，直接挤压了成熟制程产品的有效供给。

从产能消耗维度看，HBM对硅晶圆的消耗量约为传统DRAM的三倍。其垂直堆叠的层结构需要在每颗裸片内置上万个硅通孔（TSV）及配套禁布区，大幅降低了有效存储阵列面积，同等产能下消耗的晶圆资源远高于普通DRAM。天风证券研究所电子首席分析师指出，AI基础设施投资对成熟制程产能形成显著虹吸效应，行业龙头将先进制程产能优先投向盈利能力更强的HBM产品线，是本轮成熟存储价格上行的核心原因。

需求端则呈现“刚需稳定+增量扩容”的特征。工业控制、汽车电子、消费电子等领域对DDR4、SLCNAND、NORFlash等成熟存储产品存在刚性需求，同时端侧AI的兴起进一步打开了利基存储的增量空间。东方证券研报观点认为，利基存储并非存量市场，AI终端对高可靠存储的需求正在为成熟制程产品创造新的增长场景。供需错配之下，成熟内存的长期合同占比持续降低，供应商短期定价权显著提升，构成了涨价周期的坚实基础。

02 ｜ 多品类超预期涨价 · 景气周期有望延续

除大摩预测的DDR4与SLCNAND大幅涨价外，全品类存储价格均处于上行通道，涨价幅度与持续性不断超出市场预期。

DRAM方面，成熟制程产品涨幅显著领先高端品类。集邦咨询数据显示，2026年3月消费级DRAM中4Gb以下容量产品涨价动能最强，DDR44Gb均价月涨幅超20%，DDR3、DDR2等更成熟产品受产能持续退出影响，单月涨幅达20%-40%。高端DDR5同样没有降温迹象，美国银行数据显示，8月DDR5-5600/640024GB现货价格环比上涨8%，同比涨幅高达483%。

NAND闪存领域，SLCNAND成为涨价幅度最激进的品类。随着海外大厂逐步退出中小容量SLC产能，全球有效供应商数量持续收缩，供给刚性极强。据TrendForce统计，2026年上半年NORFlash、SLCNAND合约价累计涨幅均已突破100%，摩根士丹利预计下半年SLCNAND仍将保持每季度50%的上涨节奏，全年涨幅有望超过170%。

对于行业周期的持续性，多家机构给出了乐观判断。SK海力士方面警告，2027年大概率成为存储芯片供应缺口最大的年份，客户年度采购需求已接近往年两倍，而新建晶圆厂从规划到稳定量产至少需要4-5年，产能缺口短期难以填补。招商证券同样认为，存储行业缺货预计将延续至2027年，国内存储原厂扩产提速将进一步带动产业链订单增长。

03 ｜ 核心标的具备业绩弹性

本轮结构性涨价行情中，A股存储产业链不同环节的业绩弹性存在差异，整体呈现“设计原厂>模组分销>封测配套>上游材料”的受益顺序，多家券商研报已对核心标的上调盈利预期。

▶ 存储芯片设计：直接享受涨价红利，业绩弹性最大
芯片设计厂商直接掌握产品定价权，同时受益于库存价值重估，是涨价周期中业绩弹性最高的环节。

兆易创新：摩根士丹利明确上调其2026-2028年每股收益预测，上调幅度分别达108%、49%、48%，8月最新目标价上调至750元。公司是国内利基型存储龙头，NORFlash、SLCNAND、利基DRAM三大产品线全线覆盖，2026年Q1DRAM业务营收占比已提升至约三分之一，DDR48Gb新产品在TV、工业等领域导入成效显著。公司与长鑫存储形成深度协同，2026年DRAM晶圆采购额度达8.25亿美元，在供给紧张阶段锁定了上游产能保障。

北京君正：杰富瑞研报将其列为存储涨价核心受益标的，公司通过收购ISSI成为全球车载存储谱系最全的厂商之一，SRAM全球排名第二、DRAM国内领先。产品聚焦工业级、车规级高附加值市场，下游客户分散且粘性强，存储产品已确认涨价，量价齐升确定性较高。

东芯股份：国内SLCNAND龙头厂商，产品处于国内前三位置，是A股纯正的SLCNAND标的。随着海外大厂逐步退出成熟SLC产能，公司产品交期已超过20周，二季度内已启动三轮调价。其车规级SLCNAND及NOR产品已通过AEC-Q100认证并在多家整车厂量产，同时布局人形机器人存储方案，长期成长空间明确。

普冉股份：国内NORFlash与EEPROM核心厂商，收购SkyHighMemory后补齐SLCNAND及eMMC产品线，实现非易失性存储全品类布局。2026年上半年公司净利润同比大增1929.65%，充分兑现了存储涨价的业绩红利，工业、车规级高可靠存储产品持续放量，毛利率随产品涨价持续上行。

▶ 存储模组与分销：库存重估+订单转移，业绩兑现迅速

模组厂商拥有大量低价库存，涨价周期中库存价值重估效应显著，同时可承接海外大厂溢出的订单，业绩传导速度快。

江波龙：多家券商给予“买入”评级，公司是国内存储模组龙头，消费级与企业级存储业务双线布局，拥有充足的低价芯片库存，涨价直接带来库存收益快速释放。公司可快速切换供应链承接海外大厂溢出的存储模组订单，同时在企业级、车规级存储领域持续突破，成长属性与周期属性共振。

佰维存储：消费级与AI存储模组双轮驱动，在AI存储封测领域布局领先，业绩弹性位居行业前列。公司充分受益于消费级存储涨价与AI服务器存储需求增长，同时承接海外厂商转移的模组订单，产能利用率与产品毛利率同步提升。

香农芯创：存储分销龙头同时布局自主品牌，代理美光、SK海力士等头部厂商产品，分销业务直接受益于存储价格上涨，业绩传导最为迅速。其自主品牌“海普存储”已完成企业级DDR4、DDR5的研发量产，充分受益企业级存储供需紧缺格局，2026年一季度业绩呈现爆发式增长。

▶ 存储封测与配套：稼动率持续拉满，受益国产扩产

国内封测厂商深度绑定国产存储原厂，同时承接海外产能转移订单，封测稼动率与单价同步上行。

深科技：杰富瑞研报将其列为封测环节核心受益标的，旗下沛顿科技是长鑫存储的核心封测代工厂，深度绑定国内DRAM原厂产能。随着国产存储产能持续释放，公司封测稼动率持续拉满，同时受益于封测服务价格上调，实现量利双升。

通富微电：国内先进封测龙头，存储芯片封测市占率位居国内第二，DDR5与HBM封装技术国内领先，HBM封装良率已达行业先进水平。公司与AMD、英伟达等国际巨头深度合作，同时承接国内存储厂商的先进封装订单，充分受益存储行业高景气与先进封装渗透率提升双重红利。

爱建证券研报指出，除上述核心环节外，存储芯片制造上游的设备与材料环节同样具备长期投资价值，是国产半导体产业发展的关键环节，建议重点关注国产替代相关投资机会。

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