三条增长曲线接力、AI提速，芯联集成首次实现半年度盈利，跨越关键拐

2026年上半年，芯联集成实现成立八年来的首次半年度盈利：营业收入45.62亿元，同比增长30.53%；归母净利润2.78亿元。扣非利润也在大幅好转，上年同期扣非亏损5.36亿元，今年上半年已收窄至0.65亿元，减亏幅度达87.84%，亏损规模从数亿元缩小到数千万元。

关键拐点发生在二季度：单季营收达26亿元，同比增长接近50%，环比增长超过30%；单季归母净利润3.67亿元。

当然，这不是芯联集成第一次实现季度盈利。2025年二季度，公司就曾实现单季盈利0.12亿元。

今年二季度真正的变化在经营层面。扣除一次性收益之后（其中最主要的一项是向芯联先进授权12英寸产线相关专利及非专利技术，该事项确认收入约2.79亿元、贡献归母净利润约2.56亿元），按半年报与一季报的同口径数据推算，芯联集成二季度扣非净利润实现0.86亿元。同时实现季度归母净利润和扣非净利润双盈利。

事实上，芯联集成非常看重经营层面的盈利质量。早在2025年初，公司董事长赵奇就公开表示，目标是“确保在2026年实现一个全面、有厚度的盈利转正，迈入全新的高质量发展阶段”。

二季度扣非利润的转正代表芯联集成已经初步触及“有厚度的盈利”，但能否真正进入稳定盈利阶段，还要看自身业务发展和产能利用的持续提升上。

01.

盈利拐点怎么来的：产能利用率提升、折旧摊薄、毛利改善

本次实现盈利的首要原因，体现在产能利用率的提升上。

芯联集成的商业模式有其独特性：“一站式芯片系统代工”覆盖设计服务、晶圆制造、模组封装、可靠性测试与应用验证全链条，目标是成为新能源与智能化产业的“系统级方案提供者”。

这一模式的价值在于能够深度绑定下游客户，代价则是需要持续的产能与研发投入，折旧周期长，属于典型的重资产模式。

该模式下，产能利用率就显得尤为重要。上半年，芯联集成晶圆产量达148万片（折合8英寸），同比增长28.86%。产量增加后，同一座工厂的折旧和固定成本被更多产品分摊：上半年公司折旧摊销占营业收入的比例降至41.13%，同比下降13.84个百分点。

对应到下游需求中，汽车业务占比41%，同比增长3.53%，虽然增速放缓，但依旧最为重要。高端消费占比31%，同比增长31.76%。工控占比19%，同比增长21.29%。这两大领域正在接力汽车成为持续增长的关键领域。最后是AI，占比9%，增速高达84.31%。除高增速外，AI的业务结构也发生重大改变，产品不再局限于算力电源领域，光互连、AI终端方向也同步在渗透。

经营飞轮启动后，一定程度上带动芯联集成毛利大幅改善。上半年综合毛利率达到12.71%，同比提高9.17个百分点，二季度单季毛利率更是接近18%，同样创历史新高。

为应对下游需求的提升，芯联集成四期工厂也正式启动建设。

四期工厂总投资200亿元，新建月产5万片的12英寸车规级数模混合芯片产线，产品聚焦55-28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片、90nm数模混合芯片、55nmAI服务器高频电源管理芯片、55nm硅光芯片、55nmSiGe跨阻放大器和激光驱动芯片等技术平台。

四期项目投产后，加上此前已建的三期晶圆产能，芯联集成整体晶圆制造产能将超50万片/月（折合8英寸）。产能的扩张将进一步助推芯联集成业务规模的扩大。

除此之外，下半年的另一个助推因素是价格上涨。涨价弹性将从三季度末开始释放、四季度全面兑现。这意味着下半年芯联集成的毛利率有望进一步改善，盈利也会更加扎实。

02.

第一曲线压舱，碳化硅与BCD开始接棒，碳化硅全年收入有望达30亿元

经营飞轮转动之后，接下来要看的便是产品结构的变化。

赵奇此前多次公开解释芯联集成的三条增长曲线：第一条是以IGBT、MOSFET、MEMS为主的8英寸硅基芯片及模组，第二条对应的是碳化硅MOSFET芯片及模组，第三条是以高压、大功率BCD工艺为主的模拟IC。

第一曲线当前承担的任务，是把产能利用率和收入增长转化为利润。随着三季度MOSFET和IGBT涨价落地，这条曲线的盈利弹性有望进一步释放。产品方向主要是高压化，目前4500V IGBT已经量产，并形成3300V至6500V的超高压产品覆盖。

第二增长曲线是碳化硅以稳定接过接力棒。2026年上半年碳化硅收入持续增长，全年预计约30亿元，较2025年的约15亿元接近翻倍；且新增收入中70%至80%预计来自销量增长，而非价格变化。

增长首先来自新能源汽车。根据NE时代统计，2026年上半年国内新能源汽车碳化硅功率模块装机量为183.7万套（包含混碳），同比增长53.1%，而芯联集成碳化硅功率模块装机量位居行业首位。

当然碳化硅的应用也不止于汽车。随着AI数据中心供电架构和固态变压器持续向高电压演进，碳化硅相对硅基器件的效率优势会更加明显，替代也将加速。以固态变压器（SST）为例，高压碳化硅器件占整机价值量的比重有望接近40%。

产品层面，芯联集成第四代碳化硅芯片及模块已通过客户评测并实现量产，现有产品形成650V至3.3kV矩阵；在更高压领域，6.5kV和10kV产品也在开发过程中。

产能方面，芯联集成现有6英寸碳化硅月产能约0.9万片、8英寸月产能约0.7万片。未来8英寸计划新增月产能0.8万片，达到单月1.5万片，届时将形成"0.9万片6英寸+1.5万片8英寸"的产能规模。

相比之下，8英寸单片晶圆产出的芯片数量更高、成本更有优势，对未来的盈利改善也更有帮助。

第三增长曲线是高压、大功率BCD模拟IC。

BCD可以在一颗芯片中集成双极型器件、CMOS和DMOS，适合处理电源管理、驱动控制和高压模拟信号。对芯联集成来说，这意味着公司可以从制造功率开关器件，继续向驱动、控制和系统电源方案延伸。

围绕BCD平台，芯联集成还在补齐MCU和嵌入式闪存能力，使业务从功率开关器件进一步延伸到驱动、控制和电源管理芯片。

据悉，芯联集成2026年BCD业务收入将达到2025年的三倍左右，也正在成为稳定业绩来源。

03.

AI成为新引擎，全面布局电源、光互连

AI是芯联集成新的增长极，在“AI in All”策略下，芯联集成出售的不是某一颗孤立芯片，也不局限于电源解决方案，而是一组横跨功率器件、模拟IC、MCU和光芯片的制造平台，即从"单一器件供应商"升级为"AI产业链底层硬件与系统方案的核心赋能者"。

先看AI算力电源。

芯联集成已布局服务器一级、二级和三级电源所需的碳化硅、氮化镓、硅基功率器件、隔离驱动、MCU和磁器件。据悉，这套产品组合可覆盖AI服务器电源约70%的BOM价值量。

新产品方面，公司内部代号为G2.0的高频碳化硅产品已完成开发，并向头部AI服务器电源客户送样；面向固态断路器的碳化硅JFET也已开始送样。

氮化镓是另一条技术路线。半年报显示，芯联集成正在把氮化镓产品迭代至G2.0，高可靠性高压氮化镓系列仍处于研发阶段，主要面向AI服务器电源和消费电子。

客户侧，两家海外算力服务器领域的重要厂商正在与公司接触，处于送样验证阶段。

AI的另一块业务是高速光互连，这是近年来重点拓展的新业务。

芯联集成在这一领域布局了VCSEL、磷化铟、硅光、薄膜铌酸锂、锗硅和MEMS OCS等技术，覆盖有源光芯片、硅光芯片、配套电芯片和异质集成。

目前，芯联集成的12英寸硅光工艺和90/55纳米锗硅工艺，可以支持800G、1.6T及以上规格光模块所需的硅光芯片、跨阻放大器和激光驱动芯片。

产业化已初见成果。面向AI数据中心的硅光芯片实现规模化供货，交换芯片和VCSEL芯片完成验证并进入小批量试制。除此之外，芯联集成还在推进Micro LED显示系统级业务。

AI终端是第三个入口，该领域更多体现现有平台的应用外延。芯联集成的MEMS麦克风、IMU、VCSEL、激光雷达驱动芯片和MCU，可以进入智能眼镜、机器人等端侧设备。其中，消费级IMU已经规模量产，新一代MEMS麦克风处于小批量试制阶段，55纳米高可靠性MCU工艺已完成面向智能眼镜、机器人及AI设备的安全芯片适配。

总结.

2026年芯联集成已经证明单季度主营业务能够实现盈利。放眼未来来看，第二、第三增长曲线的持续接力，加上AI领域的加速发展，无疑为其长期的盈利能力提供了更加坚实、可靠的保障。