上海
8月17日，科创芯片设计方向午后爆发。截至13时28分，科创芯片设计ETF招商(589390)涨3.59%，一度涨4.36%。成分股普冉股份涨超11%，芯原股份涨超7%，盛科通信-U涨超5%，佰维存储、东芯股份、寒武纪涨幅居前。
消息面上，三星基本退出MLC NAND供给，海外大厂战略性将产能转向HBM、高层数3D NAND，利基型存储成熟产能被系统性永久挤出。普冉股份2026年上半年归母净利润约8.25亿元，同比增长约1925%，其中Q2单季净利润约5.74亿元，环比增长约128%。Trendforce预计2026年下半年SLC NAND合约价将上涨120%-170%，NOR Flash、MCU等产品涨价趋势延续。普冉股份NOR Flash产品2024年位列全球第五，中小容量SONOS NOR Flash及全容量ETOX NOR Flash系列产品已通过AEC-Q100车规认证。
分析指出，利基存储正迎来“供给永久收缩+需求结构性增长”驱动的超级涨价周期。海外大厂系统性退出利基市场，三星MLC NAND停供落地，叠加AI终端化带来增量需求，供需严重错配驱动价格暴涨。普冉股份通过子公司SHM深度绑定海力士2D NAND产能，H1业绩暴增19倍验证盈利弹性，下半年SLC NAND合约价预计涨120%-170%，业绩有望逐季创出新高。
据了解，科创芯片设计ETF招商(589390)跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦科创板纯芯片设计龙头，存储+算力含量超六成，前十大重仓覆盖普冉股份、芯原股份、盛科通信、佰维存储、东芯股份、寒武纪、海光信息、澜起科技等。
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