北京
分享至
国家知识产权局信息显示，IPG光子公司取得一项名为“体电介质和半导体中的低阈值超连续谱生成”的专利，授权公告号CN116636099B，申请日期为2021年12月。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
