广东
铠侠（Kioxia）和闪迪（SanDisk）宣布，推出第九代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存技术，旨在支持由AI驱动的基础设施日益增长的存储需求。其展示了架构创新如何帮助存储在满足AI驱动工作负载所需的高速发展，同时支持更高效的制造方式。
第九代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，并实现了更快速部署的先进存储解决方案，应用于云端及数据密集型应用。与之前的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存相比，新技术通过六平面架构和性能提升，提供了更高的读写带宽，同时功耗表现也会更好。
铠侠表示，引入基于第九代BiCS FLASH的新一代高性能QLC 3D闪存技术是其产品路线图上的重要里程碑，凸显了与闪迪合作的持续实力。通过最大化CBA技术的灵活性，正在创造NAND闪存创新的新机遇，帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。
目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。
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