北京
三星代工（Samsung Foundry）本周在“2026下一代光刻与图形化会议”（NGL 2026）上公布了更新后的工艺路线图。相比2024年版本，三星对先进制程节奏做出了显著调整：其1.4nm级SF1.4节点不再急于推向市场，而是从原定的2027年延后至2029年。
未来三年，三星将把重心放在SF2系列2nm级制造工艺的完善上，包括SF2P、SF2X、SF2A以及采用背面供电的SF2Z。韩媒ZDNet Korea指出，这是三星首次确认将在其SF1A（1nm级）节点起引入High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）设备。
从路线图看，三星计划在2030年前后进入10埃米（1nm级）节点。在此之前，它将尽量延长SF2系列的生命周期，并通过导入SF1.4来承接过渡。SF1.4从2027年推迟到2029年，意味着三星有意放慢尖端制程推进速度，把资源集中到提高SF2系列的良率和量产规模上，以增强商业竞争力。
这一调整也与客户需求密切相关。三星已与特斯拉签署长期供应协议，将在2033年前为其供应AI5与AI6处理器。对三星而言，优先保证大客户的产能和交付稳定性，比单纯争夺“首发”更有实际价值。
另一个导致SF2生命周期拉长的原因，是三星计划在EUV光刻掩模上正式采用防尘薄膜（pellicle）。这将对三星现有的生产流程带来改变，也很可能迫使它重新调整部分未来节点的工艺配方。
值得注意的是，1nm级节点将与SF1.4+共存。SF1.4+是SF1.4的增强版本，这种命名方式对三星来说并不常见。这也反映出三星未来将采取“两条腿走路”的策略：一边是通过High-NA EUV打造的创新1nm级工艺，另一边是基于成熟Low-NA EUV流程的改进型技术。
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