北京
国家知识产权局信息显示，亚赛（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种晶片同步腐蚀装置”的专利，公开号CN122555407A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供了一种晶片同步腐蚀装置，属于晶片制造技术领域，包括盛放筒、隔挡箱、第一支撑组件、第二支撑组件以及驱动组件，所述隔挡箱固定安装在所述盛放筒内部并呈竖向间隔分布，每组所述隔挡箱上部均设置有一组所述第一支撑组件以及所述第二支撑组件，每组所述隔挡箱内部均设置有一组所述驱动组件，所述第一支撑组件固定设置在所述隔挡箱上部，所述第二支撑组件活动设置在所述隔挡箱上部。本发明实施例相较于现有技术，通过第二支撑组件的上下往复移动进而带动晶片上下移动，使得第一支撑组件与第二支撑组件能够交替针对晶片进行支撑，从而保证晶片表面能够得到全面的腐蚀，有效避免了腐蚀死角的存在，提高了晶片的腐蚀效果。
天眼查资料显示，亚赛（无锡）半导体科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事金属制品业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，亚赛（无锡）半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息12条，专利信息25条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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