北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“抑制PMOS窄沟道效应的方法”的专利，公开号CN122555215A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种抑制PMOS窄沟道效应的方法，在CMOS工艺中，功函数金属TiN淀积后，增加氧化工艺，增大宽沟道PMOS的TiN氧化程度，使得PMOS的窄沟道效应得到抑制。经过氧化工艺处理后，使不同宽度的PMOS的功函数金属氧化程度相同，降低大宽度和小宽度之间阈值电压的变化差值，抑制了窄沟道效应，改善原工艺氧化不均匀带来的器件本地不匹配的问题。窄沟道PMOS的阈值电压基本不变，宽沟道PMOS的阈值电压变大，窄沟道效应得到抑制。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2102次，专利信息2878条，此外企业还拥有行政许可550个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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