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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体器件和在沟槽中形成电介质结构的方法”的专利，公开号CN122555208A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，半导体器件和在沟槽中形成电介质结构的方法。在实施例中，半导体器件包括：半导体衬底，其包括第一主表面；在半导体衬底的第一主表面中形成的至少一个沟槽，至少一个沟槽具有基部和从基部延伸到第一主表面的侧壁；位于沟槽中的场板，其中场板通过电介质结构与半导体衬底电绝缘。电介质结构包括在沟槽的基部和场板的下表面之间延伸的底部电介质。底部电介质包括轻度掺杂的多晶硅构件。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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