北京
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122555162A，申请日期为2021年12月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备第1绝缘膜、设置在所述第1绝缘膜内的第1焊垫、设置在所述第1绝缘膜上的第2绝缘膜、以及在所述第2绝缘膜内设置在所述第1焊垫上的第2焊垫。进而，所述第1绝缘膜包含第1膜及第2膜，所述第1膜与所述第1焊垫及所述第2绝缘膜相接，所述第2膜与所述第1焊垫及所述第2绝缘膜隔开间隔而设，且具有设置成与所述第1焊垫的至少一部分相同高度的部分；且/或，所述第2绝缘膜包含第3膜及第4膜，所述第3膜与所述第2焊垫及所述第1绝缘膜相接，所述第4膜与所述第2焊垫及所述第1绝缘膜隔开间隔而设，且具有设置成与所述第2焊垫的至少一部分相同高度的部分。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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