安徽
光刻与蚀刻是半导体晶圆制造、芯片生产的核心精密工序，也是厂区废气污染物排放的核心源头，两道工序产线工况复杂、废气排放频次高、污染物浓度波动大，是半导体废气治理的重点与难点。蚀刻工序过程中，会使用大量含氟、含氯腐蚀药液，持续产生氟化氢、盐酸、硫酸雾等强腐蚀性酸性废气，这类废气不仅会污染大气环境，还会腐蚀生产设备与治理设施；清洗配套工序会辅助释放微量酸碱污染物；而光刻工序中，光刻胶的涂布、曝光、显影全过程会挥发大量醇类、苯系类VOCs有机废气，具有挥发性强、异味大、治理难度高的特点，部分配套产线还会伴随工艺氨气排放，多污染物叠加，极易出现治理不彻底、尾气超标问题。
目前多数半导体企业针对光刻、蚀刻工序废气，均采用经典的二级喷淋+活性炭吸附工艺，但杰通环境通过大量现场勘查、工艺检测、数据验证发现，传统工艺在适配光刻蚀刻专属工况时存在明显短板，未经优化的设备系统长期运行后，会出现治理效率衰减、耗材损耗过快、设备故障频发、排放不稳定等一系列问题，严重影响企业环保合规生产。通过上万组运行数据复盘，总结出传统工艺三大核心缺陷：其一，传统喷淋塔除雾结构简陋，仅能拦截大颗粒水雾，无法去除微米级雾滴，高湿废气直接进入活性炭箱体，导致活性炭微孔被水汽堵塞，吸附活性快速下降，VOCs处理效果持续变差，活性炭更换周期缩短50%以上，大幅增加企业运维成本；其二，传统喷淋系统多采用固定药剂投加模式，无自适应调控功能，而光刻蚀刻产线多为间歇性生产，废气浓度、风量波动极大，低负荷、高负荷工况切换时，极易出现药剂过量或投加不足的情况，导致酸碱废气中和不彻底，尾气排放超标；其三，系统缺乏专业化工况适配设计，未针对光刻VOCs、蚀刻酸性废气的特性优化气流速度与反应时长，废气停留时间不足，治理精度难以满足半导体行业严苛排放标准。
针对光刻、蚀刻工序专属废气治理痛点，杰通环境聚焦二级喷淋+活性炭核心工艺，开展专项技术迭代与多轮工艺验证，从设备结构、运行逻辑、参数适配、安全防护四个维度完成全方位优化，打造适配半导体光刻蚀刻工况的专属治理方案，所有优化技术均通过实验室模拟、中试测试、现场落地三重验证，确保工艺精准有效、稳定可靠。
在喷淋治理单元优化方面，杰通环境重构二级喷淋塔内部结构，采用逆流喷淋优化设计，增大气液接触面积，延长酸碱废气中和反应时长，针对性提升氟化氢、盐酸酸雾、氨气的去除效率；升级智能运维系统，搭载高精度pH在线传感器、风量流量计、浓度监测模块，实现废气工况实时数据采集，系统可根据工况波动自动调节药剂投加量、循环液流量，解决传统系统工况适配性差、处理效率不稳定的问题。同时，在二级喷淋末端加装多级复合高效除雾组件，通过分级过滤、吸附拦截双重原理，彻底去除废气中夹带的细微雾滴与水汽，将废气相对湿度降至安全范围，从源头保护后端活性炭吸附单元，大幅延长活性炭使用寿命。
在活性炭吸附单元优化方面，杰通环境结合光刻VOCs废气的组分特点，定制疏水型高比表面积专用活性炭，针对性提升有机废气吸附容量与抗湿性能；优化箱体内部气流导流结构，解决传统设备气流短路、局部流速过快的问题，让废气均匀通过炭层，保障VOCs吸附充分彻底。同时搭建全维度在线监测体系，实时监测炭层压差、温度、废气进出口浓度，通过大数据分析预判活性炭饱和状态，实现精准更换，避免耗材浪费与治理失效问题。针对光刻工序间歇性排放特点，优化设备启停逻辑，实现低负荷待机、高负荷满负荷运行，降低设备能耗与运维损耗。
在高危废气管控方面，杰通环境严格执行废气分类治理原则，将蚀刻、沉积工序伴生的硅烷、磷烷、砷烷等易燃易爆、剧毒特种废气，从常规废气系统中彻底分流，设置独立收集、预处理装置，严禁混入喷淋吸附主线，从根源杜绝燃爆、中毒、尾气超标等安全环保风险，补齐传统工艺的安全短板。
经过多项目落地验证，杰通环境优化后的喷淋吸附工艺，可完美适配半导体光刻、蚀刻工序复杂多变的废气工况，酸碱废气净化率、VOCs去除率均稳定高于行业标准，设备运行故障率大幅降低，有效解决了传统工艺治理不稳定、耗材损耗大、安全隐患多的难题，全方位保障半导体企业光刻蚀刻工序环保合规、安全高效生产。
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