AI存储股暴跌，高盛为何敢押注HBM翻倍？

文 | 智讯智库分析师 陈宥文

2026年7月，韩国股市遭遇历史级波动——单月内4次暴跌熔断，KOSPI重挫22%，杠杆ETF规模骤缩。“雪崩”之下，SK海力士与三星电子股价分别回落35%与23%（高盛研报口径，截至8月4日回望）[1]。即便两大龙头刚交出创纪录的Q2营业利润，跌势仍未止住——市场已提前对这场“AI存储超级周期”投下否定票。（详见前文：SK海力士巨震：AI飞轮还能转多久？）

就在这个节点，高盛分析师Giuni Lee团队发布韩国存储行业研报，以八大判断系统回应市场疑虑，重申“买入”评级[1]。

但这显然不是一份简单的投资参考，而是一份数据密集的卖方维稳辩护——其核心逻辑在于：暴跌之后，两家公司2027年远期市盈率已跌至3.5–3.6倍，该估值水平已含市场对盈利可持续性的否定态度（原文："the market does not believe in the sustainability of the solid earnings"）；而高盛“买入”评级的根基，正是2027年HBM混合均价（blended ASP）接近翻倍的情景假设。若该假设兑现，当前估值便属显著偏低[1]。

一份指向2027年的远期预测，能否支撑当前估值？答案不取决于卖方的论证力度，而取决于一组可观测的产业事实能否逐环节兑现。

本文将其拆解为一系列可检验的命题：哪些逻辑已固化为产业事实，哪些仍悬浮于预期之上？Q3经营数据将释放哪些验证信号？哪些会强化、哪些会削弱2027年HBM混合均价接近翻倍的叙事？——区分“已硬化的事实”与“仍悬浮的预期”，是避免被卖方叙事裹挟的关键。

在存储这种高周期、高资本开支、高技术不确定性的产业中，修正预测的速度远比预测本身更重要。

沿此思路，本文聚焦高盛八大判断中与产业逻辑直接相关的核心议题：HBM定价、LTA约束效力、库存支撑、NAND走势与SK海力士Q2业绩。（其他议题，如股东回报与美股ADR等，属公司治理议题，不改变HBM产业定价逻辑，不进入本文主线验证框架。）

核心结论速览：

1. 高盛判断，2027年HBM接近翻倍的涨价由三层机制叠加而成：①供需缺口扩大（-5.4%→-6.0%）打底，②通用DRAM价格反超HBM、年底看至约2美元/Gb形成锚点，③2027年合约重谈修复价格与利润率倒挂；涨幅结构上，同规格涨价约六成、产品组合改善约四成（后者系本文按高盛口径推算，高盛未单独量化HBM4贡献）[1]。

2. 高盛与市场预期的分歧，不在AI需求真假，而在上述三层链条能否兑现。高盛预测2027年HBM混合均价约2.9美元/Gb（三星+87%、SK海力士+100%），较Visible Alpha市场一致预期（约2.3美元/Gb）高出约24%[1]——市场尚未计入高盛判断的涨价幅度。这24%的预期差能否被产业事实逐层验证，也正是当前3.5—3.6倍2027年PE背后的分歧源头。

3. “翻倍”目前仍属于悬浮的预期，而非已硬化的事实——比预测更重要的，是验证与修正预测的速度。约四成的组合改善高度依赖HBM4放量，而Q2已证明兑现有限（SK海力士营业利润低于市场一致预期约7%）[1][2]；最可能的推翻路径不是AI需求断崖，而是供给加速、竞争放量与资本开支收缩共振（本文判断）。

4. 库存与LTA构成有条件的支撑，NAND等则是须隔离的边界议题——两者都不直接决定HBM价格。前者中，库存健康依赖出货速度维持，长约约束强于历史周期但未经下行周期检验；后者属独立变量或情绪变量，不混入HBM定价逻辑[1]。

上述四个判断可落地为下图所示跟踪框架：

风险提示：本文基于高盛研报与公开产业数据进行产业分析，不构成任何个股投资建议。高盛与SK海力士、三星电子存在投行业务关系（详见其研报披露附录），其观点存在潜在利益冲突。核心下行风险包括：AI资本开支低于预期、三星HBM进展超预期、存储供需恶化、技术迁移延迟、终端需求疲软，以及韩国市场杠杆波动与流动性冲击。2027年HBM价格预测为远期假设，Q3数据仅提供方向性证据。数据截至2026年8月。

高盛核心判断：为什么2027年HBM混合均价可能接近翻倍？

理解这份报告，最关键是先看高盛如何把2027年的涨价拆出来——分三步：供需缺口扩大是底色，通用DRAM先涨是锚点，HBM年度合约重谈是兑现窗口。

（注：下文所称DRAM，均包含通用DRAM与HBM两类产品。）

第一步：HBM供给仍然追不上需求

先看数字。高盛预计，三星和SK海力士的HBM混合平均售价——也就是不同代际、不同容量HBM加权后的平均价格——将在2027年接近2.9美元/Gb（注：两家公司HBM价格接近），分别同比上涨约87%和100%[1]。

支撑这一预测的第一块证据，是供需缺口继续扩大：从2026年的-5.4%扩大到2027年的-6.0%。负值越大，代表供不应求越严重[1]。

为什么各家都在扩产，缺口反而在扩大？答案在HBM的生产特性里。

HBM（高带宽存储）是放在AI加速器旁边、用于训练推理的高速内存；通用DRAM则是服务器、电脑和手机里的运行内存。两者虽然都叫“存储”，但HBM需要更复杂的堆叠、TSV（硅通孔）封装与良率管理——同样一片晶圆，做成HBM的有效数据容量产出，远低于做成通用DRAM。代际越往上走，堆叠层数越多，有效产出反而越低。

这就是为什么晶圆投入在按计划增加，HBM供给却没法同比例跟上。

基于这个供需实际，高盛测算HBM收入占两家公司整体DRAM总收入的比例，将从2026年的约8%（三星）和14%（SK海力士），分别提升到2027年的16%和22%，2028年进一步升至18%和25%[1]。

高盛的判断更进一步：HBM占比提升带来的更稳定的需求、定价与可见度，应支撑两家公司获得更高的估值倍数[1]。

第二步：通用DRAM已经先把价格涨上去了，HBM得“追涨”

供需缺口是HBM涨价的底色，但直接触发涨价预期的，是通用DRAM相对HBM的价格走势。

高盛指出，截至2026年二季度，出现了一个反常现象：通用DRAM按每Gb容量计价，已经超过了HBM[1]。

技术更复杂的HBM反而更便宜？原因在于定价节奏。

根据高盛披露，HBM通常采用年度固定合约——价格一旦锁定，全年基本不变；通用DRAM则采用月度或季度议价，能更快反映市场变化。2025年下半年到2026年上半年通用DRAM价格快速上涨时，HBM被年度锁价机制“套牢”了，“跑输”了通用DRAM。

高盛预测，通用DRAM均价将从2025年底的约0.5—0.6美元/Gb，升至2026年底的约2.0美元/Gb[1]。

这个锚点一旦立住，2027年HBM重谈年度合约时，就必须卖得比通用DRAM更贵——不仅要修复价格倒挂，还要修复利润率倒挂。

利润率倒挂有多严重？高盛研报显示，2026年SK海力士HBM营业利润率69%，通用DRAM反而高达81%[1]。技术壁垒更高的产品赚得更少，这在商业逻辑上说不通。高盛预计2027年两者利润率将收敛至约80%对82%的更接近水平[1]。

关键在于，高盛这一预测比Visible Alpha市场一致预期（约2.3美元/Gb，SK海力士口径）高出约24%[1]。这24%的偏离谁对谁错，正是后文要用产业数据裁决的核心问题。

第三步：2027年的涨价由两部分推动

高盛把2027年的涨幅拆成了两层，原文是这么说的：

"We expect the like-for-like basis price increase to be roughly 60% for major products, and the remaining growth to come from the mix improvement impact."

翻译过来：主要产品在可比口径（like-for-like basis）下的价格涨幅约60%，其余增长来自产品组合改善（mix improvement）[1]。

“可比口径”就是同型号、同规格HBM的纯涨价；“产品组合改善”就是高单价的新代际产品——主要是HBM4及后续更高代际——在总出货中占比提升。

用一个简化例子说明（本文推演，非高盛测算）：如果HBM4单价比HBM3E更高，当HBM4在总出货中的占比从20%升到50%，即便两款产品各自价格不变，混合均价也会因为“卖得更贵的产品占比更高”而上涨。

高盛没有单独量化HBM4的贡献比例，但结合SK海力士二季度业绩解释和公司披露，HBM4是“产品组合改善”的重要载体。

这意味着，2027年翻倍不是单一产品普涨，而是“同规格涨价”加“更贵的新品占比提升”共同作用的结果——后者高度依赖HBM4的量产进度。

总结一下高盛的三层逻辑链：底层是HBM供需缺口扩大（-5.4%→-6.0%），中层是通用DRAM价格已经反超HBM、正向2.0美元/Gb走去（2026年底预测值），表层是2027年HBM年度合约重谈时必须修复价格与利润率倒挂。

但这条链条能不能兑现，高度取决于HBM4能否在2026年下半年顺利放量。

关键在于验证：HBM4、库存、长约、竞争与NAND

上文完成了正向论证：高盛如何构建2027年HBM混合均价翻倍的预测逻辑。接下来要回答的是：这套预测先从哪里验证，靠什么条件支撑，可能被什么推翻，哪些问题不能混进同一条逻辑。

本章按四个层次递进验证：核心变量→支撑条件→反证检验→边界排除。

先说明验证样本的口径差异：两家公司都披露了二季报，但颗粒度不同。三星只给到DS部门层级，没有单独拆分HBM收入与利润率；SK海力士则披露了HBM4出货、下半年放量计划与制程进度，高盛研报中的HBM利润率（69%对81%）与库存数据也主要是SK海力士口径。因此“产品组合改善”这个核心变量，当前可验证的微观样本主要是SK海力士；三星一侧的观察点，在HBM4放量进度与合约覆盖（规划产能60—70%目标）的兑现。两条线在以下各节分别对位。

核心变量验证：HBM4有没有开始变成收入？

先说SK海力士。

按高盛的拆分口径推算，SK海力士2027年HBM约100%的涨幅中，约60个百分点来自同规格产品涨价，其余约40个百分点需要“产品组合改善”来贡献——HBM4是其中重要载体（这是本文按高盛口径的算术推算，高盛并未单独量化HBM4的贡献。）。

如果这部分组合改善不能兑现，翻倍逻辑就缺了一大块。

再看已经发生的事实。SK海力士二季度营收79.3万亿韩元（约合人民币4125亿元），营业利润60.5万亿韩元（约合人民币3150亿元），基本符合高盛此前预测的59.1万亿韩元，但比彭博汇总的市场一致预期65万亿韩元低约7%[1][2]。

公司披露，二季度DRAM平均售价环比上涨约30%（高盛测算为29%）[2]，低于高盛此前预测的39%。高盛把落差归因于两点：一是通用DRAM开始反映此前与客户锁定的价格，二是HBM受限于“limited mix improvement to HBM4”——HBM4组合改善有限[1]。

Q2已经用实际业绩证明了一件事：产品组合改善不是自动发生的。HBM4已按计划开始出货，但它对均价与利润的贡献占比还没跟上。

公司给出的时间表是：HBM4已于二季度开始出货（began shipment），计划下半年全面爬坡（full ramp up planned in 2H）；基于1c nm制程（1c nm即第三代10纳米级制程，是当前最先进的DRAM量产节点）的HBM4E样品上半年已交付主要客户[2]。

高盛据此预测，SK海力士Q3 DRAM位元出货量环比增约10%，整体DRAM平均售价环比涨约19%，对应营业利润约77万亿韩元，大体符合市场一致预期[1]。

但这里有个陷阱。整体DRAM均价同时受两个因素拉扯：通用DRAM涨价和HBM产品组合提升。如果通用DRAM涨得多、HBM4占比没跟上，整体均价仍会涨——所以，整体DRAM均价只能算间接或辅助证据，不能单独证明HBM4本身在贡献高价。

所以后续观察SK海力士Q3，更为严谨、更具价值的观察顺序应该是：

• 第一，HBM4出货规模有没有明显跳升；

• 第二，公司会不会首次披露HBM4收入占比或HBM单独均价——如果Q3继续不拆分，“产品组合改善”就无从验证；

• 第三，才是用整体DRAM均价做辅助判断。

如果只看到出货增加，看不到HBM4占比或HBM均价改善，组合改善的增量逻辑就还悬在半空。

对照来看，三星这边的对应观察点不在财报拆分，而在进度官宣与合约落地。二季报三星已确认HBM4放量（"scaled up HBM4 sales"）、HBM4E样品交付主要客户——公司口径称“行业首批”，与SK海力士“上半年已交付1c nm HBM4E样品”存在口径张力，本文不作裁判[3]。如果三星多年期合约量达到规划产能60—70%的目标在年底前后兑现，“组合改善”在三星一侧同样获得支撑。

支撑条件验证：库存和LTA能否托住供需？

HBM4回答的是“能不能涨”。接下来要问的是：涨势能不能维持到2027年？

这需要从库存和LTA两个维度展开。

子问题一：库存是否健康？

市场近期担心模组厂库存上升。模组厂就是把存储芯片加工成内存条的厂商。高盛承认库存确实在上升，但指出模组厂仅仅只占整体存储市场的个位数百分比，对行业基本面影响有限[1]。

那么，供应商和核心客户的库存就更值得关注。高盛估算，截至2026年二季度末，主要供应商的DRAM和NAND库存周数在2—4周以内，低于约4—5周的正常水平，更远低于过去下行周期前常见的10周以上水平[1]。

但这里要打个问号。财报数据显示，SK海力士库存绝对值已连续两季环比上升——从去年四季度约14.3万亿韩元，到今年一季度约16.0万亿，再到二季度约18.0万亿韩元[2]。

库存周数看起来“健康”，部分原因是出货速度加快（分母变大了），不是库存绝对值在下降（分子变小了）。一旦Q3出货放缓，库存周数会被动恶化。

因此结论就是，虽然行业还没有积累大量待去化存货，由去库存触发价格快速反转的条件还不具备，但这个“健康”高度依赖出货速度能否维持——是有条件的，不是无条件的，应当跟踪观察。

子问题二：长约是否真实有效？

LTA（Long-term Agreement，长期供货协议，行业惯称“长约”），就是把未来几年的采购量、价格机制和付款约束提前写进合同，以期避免供需错配下的盲目扩产或收缩，并实现中长期需求锁定与供应稳定性。

但长约不是只有一种。按高盛披露案例，本轮LTA可以整理成四个维度：

最关键的就在于：LTA不是单一固定的概念，而是多种机制的组合。四个维度各自独立运作——多年期和滚动合约管期限，覆盖率管需求锁定比例，固定价格/价格区间/底价管价格风险分配，预付款和照付不议管执行约束——不能混为一谈。

这些机制共同提高的是需求可见度，不是价格确定性；它们托住的是供需紧张的“背景条件”，而不是HBM能否卖到2.9美元/Gb的直接定价权。

而本轮LTA的升级主要在约束维度。高盛研报显示，本轮与历史周期的关键差异在于大额预付款和违约惩罚条款，资金约束确实比历史上更严格——客户违约成本上升，供应商的现金流安全边际扩大。

但约束强度不直接等于定价能力。高盛没有提供上一轮各家合同的同口径条款，因此无法做严格的跨周期对比。从行业历史看，2017–2018年存储周期顶部同样出现大量长约密集签订，随后需求调整期部分合同面临重新谈判[4]。道理很简单：供不应求时，预付款和违约条款能有效锁定订单；供过于求时，客户算一笔账——违约金或重谈成本低于继续高价拿货，就有动力重谈、延期甚至接受违约金。

所以当前只能确认：本轮LTA在资金约束层面比历史上更强，但不能据此推断LTA已经让存储行业的周期规律失效。LTA是供需紧张的支撑条件，不是涨价发动机，应当跟踪观察。

反证检验：高盛的判断最可能错在哪里？

库存和LTA提供的是支撑条件，不是保证。以下从外部冲击和内部失效两个维度展开直接的反证检验。

前两类风险（需求端、竞争者）依据高盛自述的风险清单（Key Risks）展开，后两类（供给端、执行风险）是本文基于产业逻辑的追加推演。

外部冲击一：需求端——AI资本开支增速放缓。

高盛把“低于预期的AI相关资本开支”列为SK海力士关键风险之一，但同时认为这些风险不足以推翻其判断——高盛在SK海力士投资论点中预计，2026年将展开“最强的存储上行周期之一”（"one of the strongest memory upcycles"）[1]。SK海力士官方给出的图景同样乐观：主要大型科技客户正在扩大基础设施投资与存储采购（"Major Big Tech customers expanding infrastructure investments and memory procurement"）[2]。

但需求侧的可持续性本身正受到市场质疑。云厂商的AI投资高度依赖资本开支，一旦资本开支收缩，HBM需求增速和供应商的合约谈判能力都会受影响。

重点不在于反驳高盛，而是要把高盛风险清单里的抽象表述落到可跟踪的变量上——Q3云厂商的资本开支指引，一直是需求端最该盯的信号。比如，当英伟达开调整Rubin Ultra显存规格，表面看是供应不足，换个角度看也说明：当GPU厂商开始调整配置适配内存供应，需求端也在根据供给做动态调整，而不是无限刚性的[5]。

外部冲击二：竞争者——三星追赶超预期。

高盛把“三星HBM进展快于预期”明确列为SK海力士的关键风险之一（Key Risks第3条）[1]。

这不是假设，是正在兑现的事实。三星已在二季报中官宣HBM4放量、HBM4E样品交付主要客户[3]。高盛同时披露，三星已完成与全球前五大数据中心客户的合约签订，并正与另外五家AI需求相关的大型客户推进最终谈判，合约落地后多年期合约量预计达其规划产能的60—70%[1]。

对SK海力士来说，这是对其定价权的直接挤压；对两家公司共同而言，任何一方放量快于预期，HBM价格重估的空间都会被摊薄。

内部失效一：供给端——良率突破带来供给超预期。

除了外部风险，供给侧也存在潜在风险：如果全行业HBM4良率超预期提升，整体供给增长快于需求，供需缺口就可能提前收敛。

这里看的不只是SK海力士一家，还包括其他竞争者的产能与良率进度。市场通常把供给不足当利好，但如果供给增长快于预期，缺口收敛会反过来压制价格——这是高盛研报中未充分展开的供给侧风险。

内部失效二：执行风险——合同到现金的转化不及预期。

长约签了不等于钱到手了。如果LTA实际覆盖的HBM比例不高，或者预付款没有带来真实采购，需求可见度就会停留在合同层面；如果供应商和客户库存重新累积，价格反转的条件也会增强。

验证路径在于，追踪SK海力士Q3财报中“Contract Liabilities”（合同负债）科目是否持续增长——但也需注意，合同负债增长仅反映预付款或履约约束增强，不等同于LTA已覆盖HBM的真实采购比例，也不能单独确证需求已转化为收入。同时观察主要客户是否出现订单修正或延期交付的信号。

这是从“合同层面”到“现金层面”的穿透验证。

边界排除：NAND会否及如何影响主线判断？

前三步讨论的是直接影响HBM主线的验证、支撑和反证。最后需要单独指出，NAND属于另一个层级——它不直接决定HBM价格，但可能间接干扰主线叙事，需酌情独立分析。

NAND与DRAM/HBM是两条独立的价格曲线，不能混为一谈。

技术上，NAND是闪存（Flash Memory），与DRAM/HBM的读写机制完全不同——断电后数据不会丢失，主要用于手机存储、固态硬盘（SSD）等场景。企业级SSD（eSSD）是云厂商和数据中心使用的高性能固态硬盘。

高盛预计，企业级SSD需求将从2026年的474EB增长到2027年的619EB（EB，Exabyte，1EB约等于10亿GB），因此认为2027年NAND供需缺口会扩大[1]。TrendForce则预计，随着新增产能投产、消费电子需求持续疲软，NAND将在2027年下半年转向更宽松的供给环境[6]。

高盛还提醒，近期NAND即期价格走弱主要集中在TLC 512Gb这一个规格；该产品过去一年涨了接近600%，当前回落更像前期大涨后的修正，不能代表所有NAND产品反转[1]。

这些分歧都在说明，DRAM/HBM与NAND不能共用同一条价格曲线：前者主要看AI服务器、产品代际和客户认证，后者还要看手机、PC等消费需求能否恢复。

对HBM主线来说，NAND是“背景噪音”——它可能分散市场对HBM供需的注意力，但不直接改变HBM的定价逻辑。唯一需警惕的是：如果NAND价格因供给宽松而深度下跌，可能引发市场对“整个存储行业”的恐慌性抛售，间接压低HBM估值。这属于情绪传导，并非基本面逻辑传导。

持续跟踪，快速修正

把前面的分析收拢，可以按四个问题逐项核对。

回到核心问题。高盛这份研报中最值得提取的判断是：通用DRAM已率先建立更高的单位容量价格锚点，HBM供需仍然偏紧，因此2027年HBM年度合约存在显著重估空间[1]。

然而，这一判断要兑现，必须完成三道递进验证及注意一层边界排除：

验证Ⅰ（代际升级）：HBM4及更高代际产品能否实质性改善混合均价——看HBM4收入占比是否提升；

验证Ⅱ（锚点站稳）：通用DRAM价格锚点能否在需求波动中站稳——看合约价是否向2.0美元/Gb靠拢；

验证Ⅲ（合约重谈）：同规格HBM合约能否在2026年底前后获得溢价重谈空间——看云厂商capex和竞争者进度是否支撑议价权。

边界排除：NAND走势是否会干扰存储主线的叙事——防止把不同产品的价格信号混为一谈。

Q3经营数据只会提供第一批方向性证据，不会给出终局答案。即便HBM4收入占比提升、库存保持健康、LTA持续签订，也只能确认“2027年翻倍”的必要条件正在满足，而非充分条件已齐备——验证是一个动态过程，不是一次性事件。

如果这套判断被推翻，路径未必是AI需求突然消失——从行业周期的历史经验看（本文判断），存储周期的顶部很少由需求“断崖式”崩塌触发，更多由供给加速、竞争放量与资本开支收缩的组合压垮——更具体地说，风险路径更可能是：AI资本开支低于预期→云厂商议价能力增强→HBM合约重谈空间收窄；同时全行业HBM4良率超预期提升→供需缺口提前收敛；叠加竞争者放量快于预期——对SK海力士而言主要是三星（高盛风险清单点名），对两家共同的是全行业HBM4供给加速→定价权被稀释。这三条路径并非独立，而是可能相互强化。

因此，比一次性预测更有价值的，是建立动态跟踪的反馈机制。Q3的真正意义在于：它为“2027年HBM混合均价接近翻倍”这一远期判断提供了第一批可证伪的基准数据。如果Q3数据显示HBM4收入占比停滞、库存周数被动拉长、云厂商capex指引下调，“翻倍”逻辑的置信度就应主动下调；反过来，如果四层验证逐层兑现，逻辑链条的坚固性就获得阶段性确认。

最终，比预测更重要的可能还是修正预测的速度——在存储这种高周期、高资本开支、高技术不确定性的产业中，没有人能在2026年8月准确预测2027年的终局。但可以做到的，是在8月建立一套跟踪框架，确保当证据发生变化时，认知能随之调整——而不是被沉没成本锁在初始判断中。

在Q3数据出炉之前，正可以借此建立起框架的第一块基石。

参考资料

[1] Lee G, Lee T, Takayama D. Addressing 8 key questions on memory including HBM pricing, LTA, inventory, China DRAM, and ADR; reiterate Buy on Samsung (on CL) and SK Hynix[R/OL]. Goldman Sachs Global Investment Research, 2026:1-21(2026-08-04)[2026-08-07].

[2] SK hynix. SK hynix Announces 2Q26 Financial Results[EB/OL]. (2026-07-29)[2026-08-07].

[3] Samsung Electronics. Samsung Electronics Announces Second Quarter 2026 Results[EB/OL]. (2026-07-30)[2026-08-07].

[4a] Kim S Y, Song J M. 수익 안정성 높이는 메모리칩 5년 계약…AI수요 꺾일 땐 변수로[EB/OL]. (2026-08-04)[2026-08-07].

[4b] Samsung Electronics. Samsung Electronics Announces Fourth Quarter and FY 2018 Results[EB/OL]. (2019-01-31)[2026-08-07].

[4c] SK hynix. SK hynix Inc. Reports Fiscal Year 2018 and Fourth Quarter Results[EB/OL]. (2019-01-24)[2026-08-07].

[4d] SK hynix. SK hynix Inc. Reports First Quarter 2019 Results[EB/OL]. (2019-04-25)[2026-08-07].

[5] TrendForce. DRAM Supply to Remain Tight in 2027, Prompting NVIDIA to Lower HBM Configurations for Rubin Ultra, Says TrendForce[EB/OL]. (2026-08-04)[2026-08-07].

[6] TrendForce. Diverging Memory Market Outlook in 2027 as DRAM Supply Remains Tight While NAND Flash Supply Conditions Ease, Says TrendForce[EB/OL]. (2026-07-30)[2026-08-07].