豪威集成电路申请瞬态电压抑制器件相关专利，穿通型SCR结构可降低瞬态抑制器件击穿电压

来源：新浪证券-红岸工作室

8月8日消息，国家知识产权局信息显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司申请一项名为“一种低开启电压瞬态电压抑制器件”的专利。申请公布号为CN122534956A，申请号为CN202610465010.5，申请公布日期为2026年8月7日，申请日期为2026年4月9日，发明人许成宗、刘岚莘、李登辉、潘子月，专利代理机构深圳睿臻知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师张海燕，分类号H10D89/60。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种低开启电压瞬态电压抑制器件，所述瞬态电压抑制器件包括穿通型SCR结构，SCR结构穿通前后，其击穿电压VBR会发生显著变化：穿通前为雪崩击穿主导，击穿电压VBR较高；穿通后为穿通击穿主导，击穿电压VBR明显降低并趋于饱和。通过穿通型SCR结构设计的瞬态电压抑制器件显著降低击穿电压VBR。

天眼查数据显示，豪威集成电路（集团）股份有限公司成立日期2007年5月15日，法定代表人高文宝，所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，企业规模为大型，注册资本126097.0295万人民币，实缴资本126107.4075万人民币，注册地址为中国（上海）自由贸易试验区龙东大道3000号1幢C楼7层。豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了48家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息63条，专利信息224条，拥有行政许可18个。

豪威集成电路（集团）股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种低开启电压瞬态电压抑制器件发明专利公布CN202610465010.52026-04-09CN122534956A2026-08-07许成宗、刘岚莘、李登辉、潘子月2一种新型分裂栅功率MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610230022.X2026-02-26CN122054628A2026-05-15党晓军、董建新、衷世雄3一种双向低容纵向结构SCR特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610189569.X2026-02-10CN122028508A2026-05-12李登辉、许成宗、刘岚莘4一种双向超低容纵向NPN特性瞬态电压抑制器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610161837.72026-02-04CN122094185A2026-05-26李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星5一种纵向低容高压单向TVS器件的制造方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610097861.92026-01-24CN122094184A2026-05-26刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗6一种可调斜率的电源自动化测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512037465.52025-12-31CN122043299A2026-05-15张潇、刘飞扬7一种低电容瞬态抑制保护器件发明专利公布CN202511805721.42025-12-03CN121665687A2026-03-13韩业星、许成宗8一种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新9一种高边开关芯片的电压检测及控制电路实用新型授权CN202521772012.62025-08-19CN224502912U2026-07-14刘选涛、洪诚、李学文10一种用于优化SOA的屏蔽栅功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202521738033.62025-08-14CN224419175U2026-06-26薛华瑞、董建新、阮孟波、曹康妮11一种功率MOSFET宽SOA结构版图及MOSFET实用新型授权CN202521738236.52025-08-14CN224419176U2026-06-26曹培明、衷世雄12一种中高压屏蔽栅极功率器件版图及器件实用新型授权CN202521738001.62025-08-14CN224481972U2026-07-10薛华瑞、阮孟波、董建新、诸舜杰13一种具有元胞温度检测功能的功率芯片制备工艺及版图发明专利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14方镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞14一种晶圆级芯片封装结构实用新型授权CN202521537374.72025-07-22CN224521672U2026-07-17严晶玮、俞江彬、周万建15一种瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲16一种芯片并联封装方法及并联封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09方镇东、门淑芳17一种MOS芯片并联封装结构实用新型授权CN202520986841.82025-05-19CN224343676U2026-06-09王健伊、门淑芳18一种芯片封装结构实用新型授权CN202520843790.32025-04-28CN224343773U2026-06-09诸舜杰、董建新19一种单向低容瞬态电压抑制保护器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲20一种功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新21一种功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520632927.02025-04-03CN224007006U2026-03-17薛华瑞、董建新22一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波23一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图及MOSFET实用新型授权CN202520406177.52025-03-08CN224007000U2026-03-17薛华瑞、阮孟波24一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利实质审查的生效、实质审查的生效、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新25一种浮空注入型功率MOSFET器件实用新型授权CN202520332356.92025-02-27CN224006999U2026-03-17党晓军、董建新、衷世雄26一种安全工作区MOSFET器件的制备方法及器件发明专利实质审查的生效、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新27一种屏蔽栅沟槽MOSFET版图及器件实用新型授权CN202520197353.92025-02-08CN224006998U2026-03-17薛华瑞、董建新28一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520197895.62025-02-08CN224083958U2026-04-03党晓军、董建新、衷世雄29电流感测放大器发明专利公布CN202510123203.82025-01-26CN121814040A2026-04-07木村宏之30电流感测放大器发明专利公布CN202510123387.82025-01-26CN121814041A2026-04-07木村宏之31一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202520153818.02025-01-22CN224006997U2026-03-17曹培明、衷世雄、董建新32一种共漏极双MOSFET器件实用新型授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新33共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件发明专利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新34一种半导体封装结构实用新型授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力35一种芯片封装结构实用新型授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建36一种IGBT制备方法及IGBT器件发明专利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰37电压调节器发明专利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学38半导体集成电路发明专利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳39输出电路发明专利授权CN202411126829.62024-08-16CN121012487B2026-08-07石田学40一种中高压屏蔽栅极功率MOSFET版图实用新型授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新41负载驱动电路发明专利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之42桥接电路发明专利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳43一种带保险丝芯片封装结构实用新型授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙44一种高保持电流瞬态电压抑制器件实用新型授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗45一种SiC MOSFET器件的制备方法及SiC MOSFET器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾46一种MOSFET版图及MOSFET器件实用新型授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪47一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄48一种阶梯开启屏蔽栅MOSFET的制备方法及阶梯开启屏蔽栅MOSFET发明专利实质审查的生效、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄49一种功率器件的制备方法及功率器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄50一种宽安全工作区分裂栅器件的制备方法及宽安全工作区分裂栅器件发明专利实质审查的生效、公布CN202410691737.62024-05-30CN118658784A2024-09-17党晓军、包武