北京
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国家知识产权局信息显示，万国半导体国际有限合伙公司申请一项名为“具有双晶体管的半导体封装及其制造方法”的专利，公开号CN122514285A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及一种具有双晶体管的半导体封装及其制造方法。其中，所述半导体封装包括一个引线框架、一个第一场效应晶体管（FET）、一个第二场效应晶体管（FET）、一个金属夹和一个模塑封装。每个第一FET和第二FET均为倒装设置。所述制造方法包括以下步骤：提供一个引线框架条；安装一个第一FET和一个第二FET；连接一个金属夹条；形成一个模塑封装；应用一次单体化工艺。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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