北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于气体活化的加热器及等离子体产生器及用于半导体制造的相关腔室”的专利，公开号CN122514822A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开涉及用于气体活化的加热器及等离子体产生器，以及用于半导体制造的相关腔室部件、方法、及处理腔室。所述处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体包含流动模块、窗口、一或多个热源、基板支撑件、及等离子体产生器。所述窗口及所述腔室主体至少部分界定了处理体积。所述一或多个热源可操作以加热所述处理体积。所述基板支撑件在所述处理体积内设置。所述等离子体产生器至少部分地在所述处理体积周围设置。所述窗口进一步包括凸缘。所述凸缘包括不透明材料。感应线圈嵌入所述凸缘的不透明材料中。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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