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【TechWeb】8月4日消息，美国闪存峰会（FMS 2026）在加利福尼亚州圣克拉拉会展中心开幕之际，SK海力士宣布联手闪迪（Sandisk）共同发布下一代存储技术：高带宽闪存（High Bandwidth Flash，简称HBF）的首个标准规范。该规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，定位为行业通用开放标准。
据透露，FMS 2026当地时间8月6日，SK海力士Solution AT担当副社长林義哲、谷歌DeepMind研究员Xiaoyu Ma、闪迪副社长Rajeev Nagabhirava将展开圆桌讨论，主题为“借助HBF突破内存墙（Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash）”。
全新存储层级：填补HBM与SSD之间的空白
据介绍，HBF是一种介于高带宽内存（HBM）和固态硬盘（SSD）之间的新型存储层级。它既具备与HBM类似的高速数据传输能力，又可通过NAND闪存技术实现容量的大幅扩展。随着AI推理的普及和数据处理需求的激增，能够同时满足高带宽与大容量需求的技术方案备受业界关注。
此次发布的标准规范，是继2025年8月SK海力士与闪迪启动HBF标准化合作、并于2026年2月成立联盟之后，历时约6个月推出的首项成果。目前，HBF联盟已汇聚谷歌（Google）与Tenstorrent等业界重要参与者。
技术规格：最高512GB容量、3.0TB/s带宽
根据规范，HBF定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量。带宽按三个等级（Grade 1~3）设定标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。
值得注意的是，HBF与处理器之间采用行业标准UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）互联接口，为HBF与GPU、CPU等不同类型处理器的灵活连接奠定了基础。此外，规范还涵盖了互联接口与电气特性、HBF Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。
首次公开第十代375层4D NAND闪存
与此同时，SK海力士在FMS 2026展台首次公开了目前开发进展顺利的第十代（V10）375层4D NAND闪存晶圆和产品。较上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特别适用于对性能与能效要求极高的AI基础设施环境。公司计划于明年初启动基于此NAND闪存的高性能、大容量企业级固态硬盘（eSSD）量产。
SK海力士表示，以此为契机，公司计划加快HBF在AI存储市场的规模化落地，并持续依托开放合作扩大生态体系。SK海力士副社长金千成表示：“随着AI应用的快速普及，我们正处在必须重新设计整体数据处理架构的节点。通过HBF技术，SK海力士将拓展内存与存储的边界，为构建提升系统整体效率的新架构作出贡献。”
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