北京
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国家知识产权局信息显示，南通南辉电子材料股份有限公司取得一项名为“一种高比容积层型电极箔的制造方法”的专利，授权公告号CN122370192B，申请日期为2026年6月。
天眼查资料显示，南通南辉电子材料股份有限公司，成立于2001年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8400万人民币。通过天眼查大数据分析，南通南辉电子材料股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息74条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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