北京
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国家知识产权局信息显示，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司申请一项名为“一种提高原料利用率的碳化硅晶体生长装置及方法”的专利，公开号CN122484904A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，涉及一种提高原料利用率的碳化硅晶体生长装置及方法，所述碳化硅晶体生长装置包括坩埚，坩埚的外侧台阶嵌合设置有石墨环，石墨环的顶部台阶上扣合有晶盖，晶盖的底部固定有碳化硅籽晶；所述坩埚的内部中心区域设置有一个顶端开放、底端封闭的倒置圆台形筒体，所述倒置圆台形筒体的边沿与坩埚的内侧台阶之间盖设有环形多孔石墨板；所述倒置圆台形筒体的内腔底部和外侧壁与坩埚之间的空隙均装填有碳化硅原料。本发明通过构建一种新型的碳化硅原料装料方式，显著提高了碳化硅原料的利用率。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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