北京
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国家知识产权局信息显示，中兴通讯股份有限公司申请一项名为“高电子迁移率晶体管及制备方法”的专利，公开号CN122497093A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种高电子迁移率晶体管及制备方法，该高电子迁移率晶体管其结构自下而上依次包括衬底、成核层、复合背势垒层、沟道层和复合势垒层，其中，复合背势垒层是由六方氮化硼层和氮化铝层周期交替生长而成。因此，通过本申请实施例可以解决相关技术中采用传统GaN缓冲层和传统AlN插入层的高电子迁移率晶体管，使得高电子迁移率晶体管无法有效散发产生的热量，导致热量积累和晶体管性能下降的问题，进而达到了提高高电子迁移率晶体管热导率的效果。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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